Todo lo que necesitas saber sobre el MG75Q1BS11 Toshiba
2025-03-31 209

El MG75Q1BS11 es un módulo IGBT de alta calidad hecho por Toshiba, diseñado para controlar motores y manejar una alta potencia.Funciona rápidamente, ahorra energía y está construido para durar.Este artículo explica sus características, cómo funciona, dónde se usa y por qué es una excelente opción para los sistemas industriales.

Catalogar

Descripción general de MG75Q1BS11

El MG75Q1BS11 es un IGBT de canal N de alto rendimiento (transistor bipolar de puerta aislado), diseñado para el control de motor exigente y las aplicaciones de conmutación de alta potencia.Combina la eficiencia de la tecnología IGBT con las capacidades de conmutación rápida de un MOSFET de potencia, lo que lo hace ideal para su uso en unidades industriales, inversores y sistemas de automatización.Este módulo ofrece un excelente manejo de potencia, una conversión de energía eficiente y una mejor confiabilidad del sistema.Con velocidades de conmutación rápidas y baja pérdida de potencia, ayuda a optimizar el rendimiento en entornos intensivos en energía.El MG75Q1BS11 es ampliamente confiable por su durabilidad y efectividad en las operaciones industriales, donde el control consistente y eficiente es crítico.Los compradores que buscan una solución confiable para sistemas industriales a gran escala pueden beneficiarse de su diseño y disponibilidad probados a través de proveedores globales.

Para los OEM, los servicios de reparación y los distribuidores, ahora es el momento perfecto para colocar sus pedidos a granel y asegurar un componente confiable para sus necesidades electrónicas de energía.

MG75Q1BS11 Circuito equivalente

Este diagrama de circuito equivalente para el MG75Q1BS11 representa un módulo de transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT), que combina las características de Ambos MOSFETS y transistores bipolares.En este circuito, G (b) representa el puerta (o base), do es el coleccionista, y mi es el emisor.El símbolo utilizado muestra claramente que el dispositivo funciona como un IGBT, que se controla a través del terminal de la puerta.Cuando se aplica un voltaje entre la puerta y el emisor, permite el flujo de corriente entre el colector y el emisor.La entrada de la puerta requiere solo un pequeño voltaje para activar la conducción, lo que hace que la energía IGBT sea eficiente y adecuada para aplicaciones de conmutación de alta velocidad como inversores, unidades de motor y suministros de alimentación.El diagrama ayuda a los ingenieros a visualizar la función de conmutación básica del MG75Q1BS11 y cómo se integra en sistemas electrónicos de potencia más amplios.

Características de MG75Q1BS11

• Alta impedancia de entrada: Facilita los requisitos de accionamiento fáciles, permitiendo una interfaz eficiente con circuitos de control.

• Conmutación de alta velocidad: Asegura los tiempos de respuesta rápidos, con un tiempo de caída (TF) de 1.0 µs (máximo), mejorando el rendimiento general del sistema.

• Bajo voltaje de saturación: Reduce las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia en las aplicaciones de conversión de energía.

• Diseño robusto: Diseño para resistir las tensiones de alto voltaje y corriente, asegurando la confiabilidad en entornos exigentes.

Aplicaciones MG75Q1BS11

• Impulso de motor industrial: Utilizado En unidades de frecuencia variable (v_Fds) y el servo conduce para controlar la velocidad y Torque de motores eléctricos en maquinaria industrial.

• Sistemas HVAC: Usado en Compresores y ventiladores de velocidad variable dentro de la calefacción, ventilación y aire Sistemas de acondicionamiento para la operación de eficiencia energética.

Dibujo de esquema MG75Q1BS11

Este dibujo del contorno del MG75Q1BS11 proporciona especificaciones dimensionales detalladas para el empaque físico del módulo IGBT.El módulo tiene una huella rectangular con un ancho de 53 mm y un longitud de 33 mm, ambos con tolerancias de ± 0.5 mm.El total altura es aproximadamente 32 mm, garantizar un factor de forma compacto adecuado para aplicaciones con restricciones espaciales.

El montaje se facilita a través de tres Agujeros de tornillo M4y adicional agujeros de alineación (Ø2.2 mm) se incluyen para garantizar una instalación segura.El espacio terminal y las alturas se definen con precisión, críticas para la conexión eléctrica adecuada y la disipación de calor.Los terminales del conector se elevan a un Altura de 29 mm, con distancias específicas marcadas para alineación y ensamblaje.

MG75Q1BS11 Calificaciones máximas

Parámetro Nombre (símbolo)	Valor y Unidad
Voltaje de coleccionista-emisor (VCES)	1200 V
Voltaje del emisor de puerta (VGES)	± 20 V
Corriente de coleccionista continuo (yodo)	75 A
Corriente coleccionada pulsada, 1 m (iCP)	150 A
Disipación de potencia del coleccionista en tdo = 25 ° C (Pdo)	300 W
Temperatura de unión (tj)	150 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento (tstg)	-40 a +125 ° C
Voltaje de aislamiento (Visol) (AC, 1 minuto)	2500 V
Tornillo de tornillo (terminal / montaje)	2/3 n · m

MG75Q1BS11 CAR Caracterisitics

Parámetro Nombre (símbolo)	Valor y Unidad
Corriente de fuga de puerta (yoGES)	± 500 na
Corriente de corte de colección (yoCES)	1.0 Ma
Voltaje de coleccionista-emisor (VCES)	1200 V
Voltaje de corte del emisor de puerta (VGE (Off))	3.0 - 6.0 V
Voltaje de saturación del emisor de colector (vCE (SAT))	2.3 - 2.7 V
Capacitancia de entrada (cfondos)	10500 pf
Tiempo de levantamiento (triñonal)	0.3 - 0.6 µs
Tiempo de activación (ten)	0.4 - 0.8 µs
Tiempo de otoño (tF)	0.6 - 1.0 µs
Tiempo de apagado (tapagado)	1.2 - 1.6 µs
Resistencia térmica, unión al caso (Rth (j-c))	0.41 ° C/W

MG75Q1BS11 Beneficios

• Alta eficiencia: Gracias a su bajo voltaje de saturación y capacidades de conmutación rápida, el módulo minimiza las pérdidas de energía durante la operación, lo que lleva a una mejor eficiencia general.

• Requisitos de accionamiento reducido: Con una alta impedancia de entrada, simplifica el diseño de circuitos de unidad de puerta, lo que permite una integración más fácil en los sistemas.

• Rendimiento mejorado del sistema: Su tiempo de respuesta rápido mejora la precisión y el rendimiento de las aplicaciones de control y conmutación del motor.

• Compacto y confiable: El diseño robusto garantiza una confiabilidad a largo plazo incluso bajo un estrés de alto voltaje y corriente, reduciendo las necesidades de mantenimiento.

• Solución rentable: Ofrece un buen equilibrio de rendimiento y precio, por lo que es una elección económica para OEM y usuarios industriales.

• Uso versátil: Adecuado para una amplia gama de aplicaciones como inversores, convertidores de energía y unidades de motor, aumentando su adaptabilidad.

MG75Q1BS11 Problemas y solución comunes

• Calentamiento excesivo: Evite el daño térmico mediante el uso de disipadores térmicos eficientes, almohadillas térmicas y sistemas de enfriamiento activos para gestionar el exceso de calor.

• Falla de la unidad de puerta: Asegure un funcionamiento estable mediante el uso de un controlador de puerta aislado y aislado correctamente que cumpla con los requisitos de control del IGBT.

• Cortocircuito o condiciones sobrecorrientes: Proteja el módulo de picos de corriente repentina con fusibles de acción rápida, circuitos de arranque suave o componentes limitantes de corriente.

• Oscilaciones parásitas: Minimice el ruido de conmutación e inestabilidad optimizando el diseño de PCB y agregando circuitos de desinflamiento o cuentas de ferrita.

• Fallas de unión o conector de soldadura: Evite la fatiga mecánica y térmica mediante el uso de soldadura de grado industrial y asegurando el módulo contra la vibración o el estrés.

MG75Q1BS11 Productos de alternativas

Comparación: MG75Q1BS11 vs MG75Q2yl1

El MG75Q1BS11 y Mg75q2yl1 son módulos IGBT de alta potencia (transistor bipolar de puerta aislado) diseñados para aplicaciones industriales exigentes, particularmente en unidades de motor y sistemas de conmutación de potencia.El MG75Q1BS11 , fabricado por Toshiba, está bien establecido por su rendimiento confiable, Velocidad de conmutación rápida, y gestión térmica eficiente—Construyendo una opción popular en automatización y sistemas de inversores.Por otro lado, el MG75Q2yl1 también se clasifica como un módulo de transistor de potencia, aunque los detalles de su fabricante se citan con menos frecuencia en las fuentes disponibles.Ambos módulos están disponibles en los proveedores globales y son adecuados para entornos de conmutación de alta potencia similares.Sin embargo, el MG75Q1BS11 se beneficia de una documentación más amplia y un respaldo de marca confiable, lo que puede ofrecer una mayor confianza en el soporte e integración a largo plazo.Para una comparación precisa basada en características eléctricas como clasificaciones de voltaje, capacidad de corriente y resistencia térmica, los usuarios deben consultar las hojas de datos respectivas.Esto ayudará a elegir el módulo correcto adaptado a requisitos de diseño específicos.

MG75Q1BS11 Fabricante

El MG75Q1BS11 está hecho porToshiba Corporation, establecido en 1875 y con sede en Tokio, Japón, es un líder mundial en electrónica diversificada y equipos eléctricos.La compañía opera en varios sectores, incluidos sistemas de energía, infraestructura social, dispositivos electrónicos y soluciones digitales.Toshiba es conocido por su innovación y calidad, ofreciendo una amplia gama de productos como semiconductores, dispositivos de almacenamiento y sistemas industriales.El MG75Q1BS11 se encuentra entre los módulos de transistor bipolar (IGBT) aislado de alto rendimiento de Toshiba, que refleja el compromiso de la compañía de entregar componentes confiables para aplicaciones de alta potencia.

Conclusión

El MG75Q1BS11 es un módulo IGBT fuerte, confiable y eficiente para los sistemas de control de potencia y accionamiento de motor.Hecho por Toshiba, es fácil de usar, funciona bien en entornos difíciles y muchas industrias confían en las industrias.Si necesita un módulo de potencia confiable, ahora es un buen momento para ordenar a granel.

Hoja de datos pdf

MG75Q1BS11 Hojas de datos: