Hoja de datos, características y aplicaciones industriales FF200R06KEKE3
2025-04-03 183

El FF200R06KE3 por Infineon Technologies es un componente poderoso utilizado en la gestión de las necesidades de alta potencia de manera eficiente.Este módulo está lleno de tamaño pequeño, pero ofrece un alto rendimiento con tecnología IGBT avanzada y características especiales para una mejor eficiencia.Este artículo explica las características, diseño y beneficios clave del módulo, enfatizando su papel en varias aplicaciones.

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Descripción general de FF200R06ke3

El FF200R06KE3, diseñado por Infineon Technologies, es un módulo de transistor bipolar de puerta dual aislante (IGBT) que se destaca con sus especificaciones de 600 V, 200 A.Encerrado en un paquete compacto de 62 mm, combina la tecnología Trenchstop ™ IGBT3 con un diodo 3 controlado por emisor.Esta integración aumenta tanto la eficiencia como el rendimiento, lo que lo convierte en una mejor opción para aplicaciones que requieren una gestión de energía sólida.

Para aquellos que buscan hacer pedidos a granel, el FF200R06KE3 ofrece una solución confiable y de alto rendimiento para satisfacer sus necesidades.

Características FF200R06KE3

• Calificaciones de voltaje y corriente: Capaz de manejar hasta 600 V y 200 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.

• Tecnología avanzada: Utiliza TrenchStop ™ IGBT3 y Tecnologías de diodos controladas por emisor para las características de conmutación optimizadas, que incluyen suavidad mejorada y pérdidas de conmutación reducidas.

• Alta temperatura de funcionamiento: Diseñado para operar a temperaturas de hasta 150 ° C, asegurando la confiabilidad en condiciones exigentes.

• Estilo de montaje: Cuenta con un diseño de montaje de tornillo para una instalación segura y directa.

• Certificación UL/CSA: Certificado bajo UL1557 E83336, que cumple con los estrictos estándares de seguridad y rendimiento.

• Cumplimiento de ROHS: Cumple con la restricción de la Directiva de sustancias peligrosas, lo que refleja su diseño ecológico.

Especificaciones FF200R06ke3

Valores calificados máximos

Valores característicos

Diagrama de circuito FF200R06ke3

El diagrama de circuito muestra la estructura interna del módulo IGBT FF200R06KE3.Cuenta con dos transistores IGBT conectados en una configuración de medio puente, que es común para conmutar aplicaciones como inversores y unidades de motor.Los terminales 1 y 3 son los coleccionistas de cada IGBT, mientras que los terminales 2 y 4 son los emisores.Cada IGBT se combina con un diodo antiparalelo, lo que permite que la corriente fluya en la dirección opuesta durante la conmutación.Los terminales 5 y 6 representan los controles de la puerta para los IGBT, y el terminal 7 es una conexión de emisor compartido.Este diseño admite una conmutación eficiente y una recuperación inversa confiable a través de los diodos incorporados.Está diseñado para manejar las altas corrientes y el voltaje con pérdida de potencia reducida.El FF200R06ke3 es una solución práctica para los sistemas que necesitan conmutación estable de alto rendimiento.

FF200R06KE3 Alternativas

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 Aplicaciones

Unidades de inversor controladas por frecuencia

Las características de conmutación optimizadas del módulo, como las pérdidas de conmutación reducidas y la mejor suavidad, mejoran el rendimiento y la eficiencia de los sistemas de inversores.​

Impulso de motor industrial

Capaz de manejar altos corrientes y voltajes, el FF200R06ke3 es adecuado para controlar grandes motores industriales, proporcionando una operación motor confiable y precisa.

Fuente de alimentación

Las capacidades de manejo de alta potencia del módulo lo hacen ideal para su uso en unidades de fuente de alimentación que requieren una conversión y gestión de energía eficientes.

Sistemas de energía renovable

En aplicaciones como la conversión de energía solar y eólica, el FF200R06ke3 se puede utilizar para gestionar la transferencia eficiente y la conversión de energía de fuentes renovables.

FF200R06KE3 PAQUETO DEL PAQUETE

El diagrama de envasado del FF200R06ke3 muestra un diseño mecánico detallado del módulo.Utiliza una carcasa estándar de 62 mm, que mide 106.4 mm de longitud y 62 mm de ancho.El módulo tiene tres terminales principales para las conexiones de alimentación, cada uno espaciado uniformemente a 28 mm de distancia, con agujeros de montaje en ambos extremos para una instalación segura.La altura de la carcasa es de alrededor de 30 mm, incluidos los pines terminales.Incluye un conector de control de 7 pines (DIN46244-A2.8-0.5-Bz) en el lado para el control de la señal de compuerta y emisor.El dibujo también especifica las profundidades de montaje (mínimo de 7 mm, máximo de 10 mm) y tolerancias de acuerdo con los estándares ISO2768.Este esquema estandarizado le ayuda a integrar fácilmente el módulo en sus diseños con montaje y cableado precisos.

FF200R06KE3 Beneficios

Alta eficiencia: Utilizando la tecnología IGBT avanzada, el módulo logra una baja caída de voltaje en el estado, lo que resulta en pérdidas de conducción reducidas y una mejor eficiencia general.

Rendimiento térmico robusto: Diseñado para una buena estabilidad térmica, el FF200R06ke3 puede funcionar de manera efectiva en condiciones de alta temperatura, asegurando un rendimiento constante y la longevidad.

Facilidad de uso: El módulo presenta un diseño de montaje de tornillo, facilitando la instalación sencilla y segura en varios sistemas.​

Diseño compacto: Con una longitud de 106.4 mm, el FF200R06ke3 ofrece un factor de forma compacto, lo que permite un uso eficiente del espacio dentro de equipos y sistemas.​

Fabricante

Infineon Technologies AG, con sede en Neubiberg, Alemania, es un principal fabricante global de semiconductores.Establecido en 1999 como un spin-off de Siemens AG, Infineon se ha convertido en una de las diez principales compañías de semiconductores del mundo.La compañía emplea a aproximadamente 58,000 personas e informó ventas de alrededor de € 15 mil millones en 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Comparación

Parámetro	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Voltaje de coleccionista-emisor (VCES)	600 V	1200 V
Corriente de coleccionista continuo (yodo)	200 A	200 A
Tipo de paquete	62 mm	62 mm
Tecnología IGBT	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Tecnología de diodos	Emisor controlado 3 diodo	Diodo de alta eficiencia controlado por emisor
Temperatura de unión operativa (tVJ OP)	Hasta 150 ° C	Hasta 125 ° C
Voltaje de saturación del emisor de colector (vCesat)	1.9 V en VGe = 15 V, IC = 200 a	2.0 V en VGe = 15 V, IC = 200 a
Capacitancia de entrada (CIS)	13.0 NF	14.0 NF
Capacitancia de transferencia inversa (CRE)	0.5 nf	0.5 nf
Carga de la puerta (QG)	1.9 µC	1.9 µC
Resistencia interna de la puerta (RGint)	3.8 Ω	3.8 Ω
Tiempo de retraso de encendido (tdon))	0.25 µs	0.25 µs
Tiempo de ascenso (tr)	0.09 µs	0.09 µs
Tiempo de retraso de apagado (tquitarse))	0.55 µs	0.55 µs
Tiempo de otoño (TF)	0.13 µs	0.13 µs
Disipación de potencia total (Pnene)	680 W	1050 W
Voltaje de prueba de aislamiento (VIsol)	2500 V	2500 V
Peso	340 g	340 g
Estilo de montaje	Montaje de tornillo	Montaje de tornillo
Proceso de dar un título	UL1557 E83336	UL1557 E83336
Cumplimiento de ROHS	Sí	Sí

Conclusión

En resumen, el módulo FF200R06ke3 de Infineon Technologies demuestra innovación en la gestión de energía.Está diseñado para admitir una amplia gama de aplicaciones exigentes con su alta eficiencia y rendimiento robusto.Este artículo muestra por qué el FF200R06ke3 es una opción confiable para cualquier persona que necesite soluciones de energía avanzadas, lo que lo convierte en una herramienta valiosa en entornos industriales modernos.

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