Modelo de Producto

7MBI75U4S120

Introducción

Módulo de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

Marca y Fabricante

Fuji Electric (FE)

Características

Capacidad de conmutación a alta velocidad; bajo voltaje de saturación colector-emisor; alta impedancia de entrada; diodo de rueda libre integrado.

Rendimiento del Producto

Alta eficiencia en la conversión de energía; rendimiento térmico optimizado para estabilidad; duradero en entornos eléctricos severos; bajas pérdidas de energía.

Especificaciones Técnicas

Tipo de IGBT: 7MBI75U4S120; voltaje nominal: 1200V; corriente nominal: 75A.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete del módulo - estandarizado para una fácil integración; dimensiones compactas para una instalación que ahorra espacio; el embalaje garantiza el tránsito y almacenamiento seguros.

Calidad y Fiabilidad

Construido con materiales de alta calidad; sujeto a rigurosos procesos de control de calidad; operación confiable a largo plazo.

Ventajas del Producto

Ahorro de energía mediante la reducción de pérdidas; alta capacidad de transporte de corriente; adecuado para aplicaciones de alta tensión.

Competitividad del Producto

Precios competitivos en el mercado de módulos IGBT; rendimiento equilibrado para la rentabilidad.

Compatibilidad

Diseñado para ser compatible con una amplia gama de sistemas y circuitos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con certificaciones estándar de la industria para electrónica y seguridad.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa con un rendimiento sostenible a lo largo del tiempo; materiales y procesos de fabricación ecológicos.

Campos de Aplicación Real

Sistemas de control de motores; inversores y convertidores para energía renovable; fuentes de alimentación para uso industrial; aplicaciones para vehículos eléctricos.

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