Modelo de Producto

7MBR75U2H060-50

Introducción

Módulo IGBT

Marca y Fabricante

FUJI

Características

Tecnología de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

Capacidades mejoradas de manejo de potencia

Alta eficiencia y velocidad en el conmutación

Bajas pérdidas de energía

Diodo de rueda libre integrado para un mejor rendimiento

Rendimiento del Producto

Conmutación a alta velocidad

Excelente estabilidad térmica

Baja resistencia en estado de conducción

Alta capacidad de corriente

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Emisor: 600V

Corriente continua del colector: 75A

Disipación de potencia: Varía con las condiciones

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete estándar de módulo IGBT

Forma rectangular

Empaque seguro para el transporte y almacenamiento

Calidad y Fiabilidad

Construcción robusta que garantiza una larga fiabilidad

Fabricado bajo estrictos estándares de control de calidad

Ventajas del Producto

Alta eficiencia que reduce la carga térmica y mejora la fiabilidad del sistema

Tamaño compacto que favorece la flexibilidad en el diseño

Competitividad del Producto

Posicionado competitivamente dentro del mercado de IGBT para aplicaciones de alta potencia

Ofrece una relación equilibrada entre rendimiento y costo

Compatibilidad

Compatible con controladores y sistemas estándar de IGBT

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares electrónicos internacionales

Certificado para un uso seguro en aplicaciones especificadas

Duración y Sostenibilidad

Duradero con una larga vida operativa bajo condiciones de uso adecuadas

No contiene materiales peligrosos, promoviendo la sostenibilidad ambiental

Campos de Aplicación Real

Accionamientos de vehículos eléctricos

Inversores de energía renovable

Aplicaciones de conmutación de alta potencia

Sistemas de control de motores industriales

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