FDA28N50F
Número de pieza FDA28N50F
Fabricante onsemi
Descripción MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
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Modelo ECAD
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Información técnica de FDA28N50F
Número de pieza del fabricante FDA28N50F Categoría  
Fabricante onsemi Descripción MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Paquete / caja TO-3PN cantidad disponible 9350 pcs
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-3PN
Serie UniFET™ RDS (Max) @Id, Vgs 175mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo) 310W (Tc) Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3
Paquete Tube Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5387 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 105 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Número de producto base FDA28 FDA28N50F Detalles PDF [English] FDA28N50F PDF - EN.pdf
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Modelo de Producto

FDA28N50F

Introducción

MOSFET N-Canal de 500V y 28A diseñado para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia.

Marca y Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

Capacidad de alto voltaje de hasta 500V; Corriente continua de drenaje de 28A a 25°C; Baja Rds(on) de 175 mOhm maximiza la eficiencia; Alta disipación de potencia de 310W; Montaje a través de orificios para una fácil instalación.

Rendimiento del Producto

Funciona de manera efectiva en un rango de temperatura de -55°C a 150°C; Soporta una carga de compuerta de 105nC a 10V; Capacitancia de entrada de 5387pF a 25V; Voltaje de manejo de 10V para una Rds On óptima.

Especificaciones Técnicas

Tipo de FET: N-Canal; Voltaje Drenador a Fuente (Vdss): 500V; Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C: 28A; Rds On (Máx) @ Id, Vgs: 175 mOhm; Vgs(th) (Máx) @ Id: 5V; Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs: 105nC; Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds: 5387pF; Voltaje de manejo (Máx Rds On, Mín Rds On): 10V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete / Carcasa: TO-3P-3, SC-65-3; Paquete del dispositivo del proveedor: TO-3PN; Embalaje: Tubo.

Calidad y Fiabilidad

Libre de plomo y conforme a RoHS; Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (Ilimitado).

Ventajas del Producto

Altas capacidades de voltaje y corriente adecuadas para aplicaciones exigentes; Baja resistencia en conducción ayuda a reducir la pérdida de energía.

Competitividad del Producto

Plazo de entrega competitivo de 6 semanas; Parte de la serie UniFET conocida por su fiabilidad y rendimiento.

Compatibilidad

Compatible con los procedimientos estándar de montaje a través de orificios.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Estado libre de plomo / Estado RoHS: Libre de plomo / Conformidad RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Construcción duradera adecuada para aplicaciones industriales con un amplio rango de temperatura de funcionamiento.

Campos de Aplicación Real

Unidades de suministro de energía; Controles de motor; Circuitos de inversores; Fuentes de alimentación conmutadas.

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