Modelo de Producto

FDG6332C

Introducción

Array de Mosfet N y P-Channel 20V 700mA, 600mA

Marca y Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

N y P-Channel, Puerta a Nivel de Lógica, Tecnología de Montaje Superficial, Libre de Plomo, Cumple con RoHS

Rendimiento del Producto

Voltaje de Drenaje a Fuente: 20V, Corriente Continua de Drenaje: 700mA (N-Channel), 600mA (P-Channel), Rds On (Máx): 300 mOhm a 700mA, 4.5V, Carga de Puerta (Qg) (Máx): 1.5nC a 4.5V, Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx): 113pF a 10V

Especificaciones Técnicas

Potencia - Máx: 300mW, Voltaje - Salida: PowerTrench, Vgs(th) (Máx) @ Id: 1.5V a 250µA

Dimensiones, Forma y Empaque

6-TSSOP, paquete SC-88, SOT-363, Paquete del Dispositivo del Proveedor: SC-70-6, Embalaje: Banda y Carrete (TR)

Calidad y Fiabilidad

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): 1 (Ilimitado)

Ventajas del Producto

Alta eficiencia con tecnología PowerTrench, Baja resistencia en conducción, Alto rendimiento térmico

Competitividad del Producto

Precios competitivos con métricas de rendimiento robustas en su clase

Compatibilidad

Compatible con aplicaciones de nivel lógico

Certificación y Cumplimiento Estándar

Libre de Plomo, Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseño duradero destinado a un uso prolongado en diversos entornos

Campos de Aplicación Real

Utilizado en gestión de energía, conmutación y aplicaciones de amplificación en múltiples sectores, incluyendo electrónica de consumo, automotriz y sistemas industriales

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