Modelo de Producto

SVD2955T4G

Introducción

MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia

Marca y Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

Tipo FET de canal P, tecnología MOSFET, libre de plomo y conforme a RoHS

Rendimiento del Producto

Alta capacidad de disipación de potencia de 55W, rango de temperatura de operación de -55°C a 175°C, voltaje de drenaje a fuente de 60V, corriente continua de drenaje de 12A a 25°C

Especificaciones Técnicas

RDS(on) máxima de 180 mOhm a 6A, 10V, voltaje umbral de puerta de hasta 4V a 250μA, carga máxima de puerta de 30nC a 10V, capacitancia de entrada de 750pF a 25V, voltaje de trabajo para RDS(on) máxima/mínima es de 10V, Vgs máxima de ±20V

Dimensiones, Forma y Empaque

Montaje superficial DPAK (TO-252-3, DPak, SC-63), empaquetado: cinta y carrete (TR)

Calidad y Fiabilidad

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1, que indica alta fiabilidad para una vida útil ilimitada en condiciones ambientales estándar

Ventajas del Producto

Capacidades eficientes de manejo de potencia, optimizado para fuentes de conducción de puerta bajas

Competitividad del Producto

Competitivo en aplicaciones que requieren alto rendimiento térmico y eléctrico

Compatibilidad

Compatible con procesos estándar de montaje superficial

Certificación y Cumplimiento Estándar

Libre de plomo y conforme a RoHS para estándares medioambientales

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para un operación duradera y de larga duración en condiciones severas

Campos de Aplicación Real

Interruptores de alimentación, aplicaciones de gestión de energía, conmutación de carga

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