| CY62127DV30LL-55BVI | |
|---|---|
| Número de pieza | CY62127DV30LL-55BVI |
| Fabricante | Cypress Semiconductor Corp |
| Descripción | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| cantidad disponible | 3067 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | CY62127DV30LL-55BVI.pdf |
| Descargar | CY62127DV30LL-55BVI Detalles PDF |
| CY62127DV30LL-55BVI Price |
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| Información técnica de CY62127DV30LL-55BVI | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | CY62127DV30LL-55BVI | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Fabricante | Cypress Semiconductor Corp | Descripción | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| Paquete / caja | 48-VFBGA (6x8) | cantidad disponible | 3067 pcs |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 55ns | Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous | Paquete del dispositivo | 48-VFBGA (6x8) |
| Serie | MoBL® | Paquete / Cubierta | 48-VFBGA |
| Paquete | Bulk | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 1Mbit | Organización de la memoria | 64K x 16 |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Número de producto base | CY62127 | Tiempo de acceso | 55 ns |
| CY62127DV30LL-55BVI Detalles PDF [English] | CY62127DV30LL-55BVI PDF - EN.pdf | ||
| Descargar | CY62127DV30LL-55BVI Detalles PDF | ||
Modelo de Producto
CY62127DV30LL-55BVI
Introducción
SRAM de alta velocidad de 1 Mbit
Marca y Fabricante
Infineon Technologies
Características
Memoria volátil, tecnología SRAM asíncrona, empaquetado a granel, interfaz de memoria paralela
Rendimiento del Producto
Tamaño de memoria de 1 Mbit, organización de 64K x 16, tiempo de acceso de 55 ns, tiempo de ciclo de escritura de 55 ns
Especificaciones Técnicas
Formato de memoria: SRAM, tamaño de memoria: 1 Mbit, interfaz de memoria: Paralela, tiempo de acceso: 55 ns, tiempo de ciclo de escritura: 55 ns
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete 48-VFBGA, dimensiones: diseño de paquete de 6x8, tipo de montaje en superficie
Calidad y Fiabilidad
Opera dentro de un rango de temperatura de -40°C a 85°C, diseñado para alta estabilidad y durabilidad en condiciones volátiles
Ventajas del Producto
Rápido acceso y velocidades de escritura, optimizado para bajo consumo de energía y operaciones de alta velocidad
Competitividad del Producto
Compite con productos SRAM similares al ofrecer robusta tolerancia ambiental y eficiencia en rendimiento
Compatibilidad
Compatible con un amplio rango de voltaje de 2.2V a 3.6V, adecuado para diversas aplicaciones electrónicas que requieren memoria volátil
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumple con estándares industriales para componentes electrónicos y memoria SRAM
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para una confiabilidad a largo plazo bajo condiciones operativas estándar
Campos de Aplicación Real
Utilizado en sistemas embebidos, electrónica automotriz y aplicaciones industriales que requieren memoria volátil de alta velocidad
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ CY62127DV30LL-55BVI en línea.
| CY62127DV30LL-55BVI Acciones | Precio CY62127DV30LL-55BVI | CY62127DV30LL-55BVI Electrónica |
| Componentes CY62127DV30LL-55BVI | Inventario CY62127DV30LL-55BVI | CY62127DV30LL-55BVI Digikey |
| Proveedor CY62127DV30LL-55BVI | Orden CY62127DV30LL-55BVI en línea | Consulta CY62127DV30LL-55BVI |
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