Modelo de Producto

CY7C197-45VC

Introducción

Chip de memoria SRAM de alta velocidad para aplicaciones electrónicas

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Tecnología SRAM asíncrona, interfaz de memoria paralela, tiempo de ciclo de escritura rápido, tiempo de acceso rápido para alto rendimiento

Rendimiento del Producto

Tamaño de memoria de 256Kbit, organización de memoria de 64K x 4, tiempo de ciclo de escritura de 45 nanosegundos, tiempo de acceso de 45 nanosegundos

Especificaciones Técnicas

Tipo de memoria volátil, utiliza tecnología SRAM - Asíncrona

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete BSOJ de montaje superficial de 24, empaquetado a granel, dimensiones que se alinean con el estándar de huella 24-SOJ

Calidad y Fiabilidad

Duradero bajo temperaturas de operación estándar, diseñado para un rendimiento consistente

Ventajas del Producto

Optimizado para operaciones de alta velocidad, retención de datos confiable en estado activo

Competitividad del Producto

Tiempos de acceso y ciclo competitivos para tecnologías SRAM, marca reconocida conocida por componentes electrónicos de calidad

Compatibilidad

Compatible con voltajes de suministro de 4,5V a 5,5V, interfaz paralela para integración con microcontroladores y sistemas digitales

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares de la industria para chips de memoria SRAM

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa dentro del rango de temperatura especificado

Campos de Aplicación Real

Utilizado en sistemas electrónicos que requieren acceso rápido a la memoria, tales como sistemas embebidos, computación y telecomunicaciones

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