Modelo de Producto

GS8161Z32DGD-150

Introducción

Circuito Integrado de Memoria SRAM Sincrónica de Alta Velocidad

Marca y Fabricante

GSI Technology

Características

Operación Sincrónica, Línea de Datos Estroboscópica Diferencial (DQS), Burst de 2 Palabras para Reducir la Frecuencia de la Línea de Direcciones, Calibración ZQ para Ajuste de Impedancia de Salida, Soporte JTAG para Pruebas y Programación, Reloj Eco para Sincronización de Salidas de Datos

Rendimiento del Producto

Acceso y Ciclos de Alta Velocidad, Operación Estable a Alta Frecuencia, Baja Latencia e Incremento del Ancho de Banda de Datos

Especificaciones Técnicas

Capacidad de Memoria 32Mb, Frecuencia de Reloj 150 MHz, Voltaje de Suministro de 3.3V, Voltaje de I/O de 2.5V, Salida en Flujo o Ensamblada

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete FBGA, Matriz de Cuentas para Utilización Eficiente del Espacio, Dimensiones Estándar de la Industria para Compatibilidad

Calidad y Fiabilidad

Construido según Estándares de la Industria para SRAM ICs, Robusto ante Variaciones Ambientales, Probado en Rangos de Temperatura para Rendimiento

Ventajas del Producto

Ancho de Banda de Datos Aumentado para Computación de Alto Rendimiento, Confiable en Diversas Condiciones de Operación, Características que Simplifican el Diseño del Sistema

Competitividad del Producto

Compete con Otras Ofertas de SRAM de Alta Velocidad, Rendimiento y Consumo de Energía Equilibrados

Compatibilidad

Funciona con Puertos y Interfaces SRAM Estándar, Compatible con Diversos Microprocesadores y DSPs

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los Estándares JEDEC para Circuitos Integrados, Cumplimiento RoHS para Sustancias Peligrosas Restringidas

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para Fiabilidad a Largo Plazo, Materiales Amigables con el Medio Ambiente para Reducir el Impacto Ambiental

Campos de Aplicación Real

Adecuado para Telecomunicaciones y Redes, Aplicaciones de Computación de Alto Rendimiento, Sistemas Embebidos que Requieren Acceso Rápido a la Memoria

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