Modelo de Producto

H26M64002DQR

Introducción

Memoria Flash e-NAND de SKHYNIX para soluciones de almacenamiento de datos de alto rendimiento

Marca y Fabricante

SKHYNIX

Características

Altas velocidades de transferencia de datos, mayor durabilidad y fiabilidad, factor de forma pequeño para aplicaciones compactas, menor consumo de energía, código de corrección de errores (ECC) incorporado

Rendimiento del Producto

Ciclos de lectura/escritura rápidos, robusta retención de datos, soporte para funciones avanzadas de memoria

Especificaciones Técnicas

Tecnología de memoria Flash NAND, soporte para múltiples interfaces I/O, ciclos de resistencia de lectura/escritura especificados

Dimensiones, Forma y Empaque

Dimensiones estándar de IC, forma rectangular, embalaje industrial protector para el transporte

Calidad y Fiabilidad

Extensas pruebas de control de calidad, alta MTBF (tiempo medio entre fallos), conformidad con los estándares de fiabilidad de la industria

Ventajas del Producto

Optimizado para entornos de multitarea, diseñado para escalabilidad en diversos dispositivos

Competitividad del Producto

Rendimiento de alta velocidad en su categoría, características superiores de integridad de datos

Compatibilidad

Amplia compatibilidad con dispositivos, soporte para estándares de comunicación de datos establecidos

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares de certificación reconocidos a nivel mundial, cumplimiento de regulaciones ambientales

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una durabilidad a largo plazo, operación eficiente en energía que minimiza el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Dispositivos móviles, aplicaciones automotrices, centros de datos, electrónica de consumo, sistemas industriales

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