Modelo de Producto

IRFH5300PBF

Introducción

Transistor MOSFET

Marca y Fabricante

IR (Infineon Technologies)

Características

MOSFET de potencia Hexfet

Alta eficiencia debido a baja resistencia en estado activo

Conmutación rápida

100% probado para avalancha

Rendimiento del Producto

Baja resistencia térmica

Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia

Excelente densidad de potencia

Especificaciones Técnicas

VDS (Tensión Drain-Source) de 30V

ID (Corriente de drenaje continua) de 22A

RDS(on) (Resistencia estática de drenaje a fuente) de 9 mOhms

Pérdida de potencia de 3.1W

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete PQFN

Tamaño compacto para aplicaciones con limitaciones de espacio

Envasado en cinta y carrete, adecuado para ensamblaje automático

Calidad y Fiabilidad

Cumple con las pruebas de calidad estándar de la industria

Diseñado para alta durabilidad y rendimiento estable

Ventajas del Producto

Ahorro energético debido a bajas pérdidas en estado activo

Adecuado para diversas aplicaciones de conmutación

Competitividad del Producto

Ofrece una mejor relación rendimiento-precio en su categoría

Opción confiable entre productos competidores para gestión de energía

Compatibilidad

Utilizable en aplicaciones de nivel lógico

Compatible con tensiones de activación estándar

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS

Adecua a las normas de fabricación de la industria

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa

Soporta operación energéticamente eficiente

Campos de Aplicación Real

Convertidores DC/DC

Circuitos de gestión de energía

Dispositivos alimentados por batería

Servidores de computadora

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