Modelo de Producto

LM5111-2MY

Introducción

Controlador de puerta de baja zona para gestión de potencia de MOSFET de canal N

Marca y Fabricante

Texas Instruments

Características

Canal dual independiente, tipo de entrada inversora, corriente de salida pico de 3A en fuente y 5A en sumidero, tiempos de subida y bajada rápidos: 14ns/12ns típicos

Rendimiento del Producto

Soporta un amplio rango de voltajes: 3.5V a 14V, operación de alta velocidad, rendimiento robusto con temperaturas de operación de -40°C a 125°C

Especificaciones Técnicas

Tensión lógica - VIL 0.8V, VIH 2.2V, configuración de conducción para MOSFETs de baja zona

Dimensiones, Forma y Empaque

Montaje superficial 8-PowerTSSOP, 8-MSOP, ancho 3.00mm, información de embalaje no especificada

Calidad y Fiabilidad

Operativo en un rango de temperaturas extendido, diseñado para un rendimiento a largo plazo

Ventajas del Producto

Capacidad de canal dual, alta capacidad de corriente, diseño eficiente para gestión de potencia

Competitividad del Producto

Alto rendimiento en un paquete compacto, el estado obsoleto puede limitar la competitividad

Compatibilidad

Compatible con MOSFET de canal N para conducción de puerta

Certificación y Cumplimiento Estándar

Especificaciones del fabricante proporcionadas por Texas Instruments

Duración y Sostenibilidad

Confiabilidad en rangos de temperaturas extendidos, limitado por el estado obsoleto

Campos de Aplicación Real

Uso en circuitos de gestión de potencia para diversos electrónicos, adecuado para aplicaciones de conmutación de baja zona

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