Modelo de Producto

LP2997M/NOPB

Introducción

Regulador de voltaje para sistemas de memoria DDR-II

Marca y Fabricante

Texas Instruments

Características

MOSFETs de potencia integrados, Soporta operaciones de alta velocidad DDR-II, Rendimiento estable y de bajo ruido, Requiere componentes externos mínimos

Rendimiento del Producto

Corriente de suministro: 320µA, Excelente respuesta transitoria, Protección por apagado térmico

Especificaciones Técnicas

Rango de voltaje de suministro: 2.2V a 5.5V, Rango de temperatura de operación: 0°C a 125°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaquetado en formato 8-SOIC, Dispositivo de montaje en superficie, Empaque en tubo

Calidad y Fiabilidad

Altos estándares de fabricación, Control de calidad estricto

Ventajas del Producto

Eficiencia energética, Tamaño compacto, Alta fiabilidad

Competitividad del Producto

Diseñado para aplicaciones DDR-II de vanguardia, Robusta performance térmica

Compatibilidad

Compatible con diversos sistemas de memoria DDR-II

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las certificaciones estándar de la industria y conformidad para ICs de gestión de potencia

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, Diseñado para un uso sostenible en electrónica

Campos de Aplicación Real

Sistemas informáticos, Aplicaciones de memoria de alto rendimiento, Servidores y equipos de networking

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