Modelo de Producto

CM400DY-12E

Introducción

Módulo de transistor de potencia IGBT.

Marca y Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Tecnología de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT), capacidad de voltaje alto de 600V, bajo consumo de potencia y alta eficiencia, conmutación de alta velocidad.

Rendimiento del Producto

Voltaje colector-emisor (Vces) de 600V, corriente colectora (Ic) de 400A, baja resistencia térmica, durabilidad mejorada y operación robusta.

Especificaciones Técnicas

Voltaje de saturación colector-emisor típicamente 2.3V, voltaje umbral puerta-emisor típicamente 5.0V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de módulo, dimensiones estandarizadas para compatibilidad, diseño encapsulado para protección.

Calidad y Fiabilidad

Probado bajo condiciones rigurosas, cumple con estándares de calidad industriales.

Ventajas del Producto

Alta capacidad de manejo de potencia y corriente, operación eficiente en términos de energía, con pérdidas de conmutación y conducción reducidas.

Competitividad del Producto

Relación precio-rendimiento competitiva en su categoría, operación confiable y longevidad en el campo.

Compatibilidad

Compatible con conductores IGBT estándar y disipadores de calor, uso en diversas aplicaciones de potencia con calificaciones de voltaje y corriente compatibles.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con estándares internacionales de semiconductores, RoHS compatible, asegurando seguridad ambiental.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa, robusto ante condiciones operativas fluctuantes.

Campos de Aplicación Real

Uso en aplicaciones de gestión de potencia, ideal para inversores, convertidores y motores de accionamiento, aplicable en sistemas de energía renovable, transporte e equipos industriales.

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