Modelo de Producto

CM400DY-50H

Introducción

Módulo de transistor bipolar aislado de puerta (IGBT) de alta potencia

Marca y Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Módulo IGBT dual, bajo consumo de energía en el accionamiento, bajo Vce(sat), DIPIPM súper mini discreto Ver.6, diodo de recuperación rápida integrado

Rendimiento del Producto

Conmutación a alta velocidad, menor pérdida de energía, rendimiento térmico mejorado, construcción robusta del módulo

Especificaciones Técnicas

Voltaje colector-emisor: 600V, Corriente del colector: 400A, Disipación de potencia: 780W

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete del módulo, Dimensiones: 160mm x 122mm x 17mm, Peso: 1.00 kg

Calidad y Fiabilidad

Componente de grado industrial, vida operativa extendida, alta fiabilidad bajo diversas condiciones de operación

Ventajas del Producto

Alta capacidad de manejo de corriente, conversión de energía eficiente, facilidad de instalación y uso

Competitividad del Producto

Precios competitivos en el segmento de mercado de IGBT, buen equilibrio entre precio y rendimiento

Compatibilidad

Apropiado para diversas aplicaciones de inversores, compatible con voltajes estándar de accionamiento de puerta

Certificación y Cumplimiento Estándar

Componente reconocido por UL, cumple con las directivas RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa, materiales utilizados son respetuosos con el medio ambiente

Campos de Aplicación Real

Sistemas de energía renovable, accionamientos de motores, gestión de energía, vehículos eléctricos

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