Modelo de Producto

QM50DY-24B

Introducción

Módulo IGBT diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta velocidad

Marca y Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Capacidad de conmutación de alta velocidad; Voltaje de saturación bajo; Diodo integrado para aplicaciones de libre circulación

Rendimiento del Producto

Capacidades de manejo de potencia eficientes; Rendimiento térmico robusto

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Emisor: 1200V; Corriente de Colector: 50A; Disipación de Potencia: Varía según las condiciones de uso

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaque estándar de módulo; Tamaño compacto para integración en diversos diseños

Calidad y Fiabilidad

Alta fiabilidad bajo condiciones de uso industrial; Vida operativa prolongada

Ventajas del Producto

Eficiencia energética mejorada; Pérdida de energía reducida durante la operación

Competitividad del Producto

Altamente competitivo en campos que requieren conversión y gestión de potencia eficientes

Compatibilidad

Compatible con voltajes de acionamiento estándar del gate

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con estándares internacionales de seguridad y rendimiento

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para durabilidad a largo plazo; Componentes ecológicos utilizados para minimizar el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Trenes de potencia de vehículos eléctricos; Sistemas de energía renovable; Accionamientos de motores industriales; Sistemas de gestión de potencia

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