Modelo de Producto

QM50HC-HE

Introducción

Módulo IGBT

Marca y Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Módulo de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) de alta eficiencia, integrado con diodos de rueda libre para aplicaciones de conmutación, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia e inversores.

Rendimiento del Producto

Optimizado para alta tensión y alta corriente, con un rendimiento térmico mejorado para estabilidad bajo carga y baja pérdida de potencia gracias a un control de puerta optimizado.

Especificaciones Técnicas

Clasificación de voltaje: 600V, clasificación de corriente: 50A, tipo de módulo: Dual.

Dimensiones, Forma y Empaque

Dimensiones: 108 mm x 62 mm x 30 mm, módulo rectangular, embalaje industrial estándar.

Calidad y Fiabilidad

Construcción robusta que garantiza fiabilidad a largo plazo, resistencia térmica optimizada para una vida útil prolongada, cumplimiento de las normativas de la industria para módulos IGBT.

Ventajas del Producto

Alta capacidad de corriente y clasificación de voltaje, baja resistencia térmica, durabilidad mejorada para entornos industriales.

Competitividad del Producto

Compite con módulos IGBT similares de Infineon, Fuji Electric y Toshiba, ofrece gestión térmica y eficiencia superiores.

Compatibilidad

Compatible con controladores IGBT estándar, se puede utilizar en configuraciones existentes sin modificación para la mayoría de las aplicaciones.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple o supera las normas de la industria para seguridad y rendimiento, certificado por las autoridades relevantes de la industria de semiconductores.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una vida operativa prolongada bajo condiciones industriales típicas, materiales y construcción ecológicos.

Campos de Aplicación Real

Sistemas de transmisión de vehículos eléctricos, inversores de energía renovable, accionamientos de motores industriales, sistemas de gestión de energía.

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