Modelo de Producto

RJP63F3ADPP-B1-T2

Introducción

Transistor IGBT de canal N en silicio para conmutación de potencia a alta velocidad.

Marca y Fabricante

Renesas Technology Corp

Características

Conmutación de alta velocidad, bajo voltaje de saturación, alta impedancia de entrada, diodo de recuperación rápida integrado.

Rendimiento del Producto

Duradero en operaciones de alta frecuencia, pérdida de potencia mínima, rendimiento térmico eficiente, robusto en entornos de alta temperatura.

Especificaciones Técnicas

Tipo IGBT de canal N en silicio, voltaje colector-emisor: 630V, corriente colector: 35A, voltaje puerta-emisor: ±30V, disipación colector: 40W.

Dimensiones, Forma y Empaque

Tipo de paquete TO-220FP, paquete estándar para fácil montaje, tamaño: 10mm x 4.5mm x 15mm (aproximado).

Calidad y Fiabilidad

Calidad garantizada por los estándares de Renesas Technology, confiabilidad comprobada en varios circuitos.

Ventajas del Producto

Proporciona funciones de ahorro de energía en electrónica, mejora la eficiencia de los sistemas eléctricos.

Competitividad del Producto

Compite con transistores de conmutación de alta velocidad similares, ampliamente utilizado y confiable en el mercado.

Compatibilidad

Compatible con varios tipos de aplicaciones de conmutación a alta velocidad, intercambiable con modelos IGBT similares.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares electrónicos internacionales.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil con uso y gestión del calor adecuados, ecológico considerando su contribución a la eficiencia energética.

Campos de Aplicación Real

Unidades de suministro de energía, inversores de alta frecuencia, controladores de motor, aplicaciones de inversores para energía renovable.

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