Modelo de Producto

S-93C46BD0H-T8T2

Introducción

Circuito integrado de memoria EEPROM fabricado por SEIKO

Marca y Fabricante

SEIKO

Características

EEPROM en serie. 1 Kbit (128 x 8/64 x 16). Interfaz SPI. Bajo consumo de energía. Generación automática de ciclos de borrado y escritura. Función de protección de escritura. Lectura secuencial. Rango de temperatura que cumple con los requisitos automotrices.

Rendimiento del Producto

Resistencia: 1 millón de ciclos de borrado/escritura. Retención de datos: 100 años.

Especificaciones Técnicas

Rango de voltaje operativo: 2.5 V a 5.5 V. Voltaje de programación: 2.5 V a 5.5 V. Frecuencia: 0.4 MHz a 3 MHz, dependiendo del voltaje de suministro. Frecuencia de reloj de salida: hasta 3 MHz.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete: TSSOP-8. Tamaño: 3.00 x 6.40 x 1.05 mm. Empaque en cinta y carrete para ensamblaje automatizado.

Calidad y Fiabilidad

Calidad de producto a nivel automotriz. Alta fiabilidad para aplicaciones críticas.

Ventajas del Producto

Especificaciones competitivas de resistencia y retención de datos. Idoneidad para el rango de temperatura automotriz. Compatibilidad con el bus SPI que asegura una integración simple.

Competitividad del Producto

Solución de almacenamiento de datos rentable. Buen rendimiento en relación al consumo de energía. Fabricante de renombre que garantiza fiabilidad.

Compatibilidad

Compatible con interfaz serial SPI. Puede conectarse con la mayoría de microcontroladores con SPI. Protección de escritura seleccionable por software.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS. Cumple con los estándares de calificación automotriz. Se adhiere a los estándares JEDEC.

Duración y Sostenibilidad

Duradero para aplicaciones a largo plazo. Consideraciones medioambientales en cumplimiento con RoHS.

Campos de Aplicación Real

Electrónica automotriz. Automatización industrial. Electrónica de consumo. Sistemas de telecomunicaciones. Equipos médicos.

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