Modelo de Producto

LC35W256EM-10W-TE-L

Introducción

Memoria de solo lectura programable eléctricamente borrable (EEPROM)

Marca y Fabricante

SANYO

Características

Chip de memoria no volátil, borrable y programable eléctricamente, bajo consumo de energía, alta resistencia y fiabilidad, capacidades rápidas de lectura y escritura, programabilidad a nivel de byte y página.

Rendimiento del Producto

Programación de alta velocidad, retención de datos por más de 100 años, resistencia de al menos 1 millón de ciclos de escritura, amplio rango de voltaje operativo, soporte para operación a bajo voltaje.

Especificaciones Técnicas

Capacidad de 256 kilobits, tiempo de ciclo de escritura de 10 ms, interfaz paralela, rango de temperatura de operación de -40°C a +85°C.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete Thin Small Outline (TSOP), material libre de plomo y halógenos, empaque estandarizado para tecnología de montaje en superficie (SMT).

Calidad y Fiabilidad

Procesos de control de calidad rigurosos, robusta retención de datos y resistencia cíclica, cumplimiento con estándares de calidad de la industria.

Ventajas del Producto

Ideal para aplicaciones de almacenamiento flexibles y no volátiles, adecuado para dispositivos que requieren actualizaciones frecuentes o rápidas.

Competitividad del Producto

Compite bien en el mercado de EEPROMs de baja densidad, equilibra rendimiento y rentabilidad.

Compatibilidad

Compatible con muchos microcontroladores y procesadores, interfaz paralela estándar para fácil integración.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con estándares ambientales y de seguridad global, conforme a RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Diseñada para fiabilidad y función a largo plazo, duradera en un amplio rango de condiciones ambientales.

Campos de Aplicación Real

Electrónica de consumo, industria automotriz, automatización industrial, sistemas de telecomunicaciones, dispositivos médicos.

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