Modelo de Producto

M29W400DB-70N1

Introducción

Circuito integrado de memoria Flash de 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 70ns

Marca y Fabricante

STMicroelectronics

Características

Capacidad de memoria de 4Mbit, bloqueo selectivo de bloque de arranque, bajo consumo de energía, tiempo de acceso de 70ns, velocidad de programación y borrado: 10μs por byte/palabra típico, configuraciones de bloque de arranque superior o inferior disponibles, mínimo de 100,000 ciclos de programación/borrado, funcionamiento a baja tensión

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso de lectura rápido, alta fiabilidad con resistencia y retención de datos, capacidad de borrado flexible (borrado por bloque y por chip)

Especificaciones Técnicas

Rango de tensión de alimentación: 2.7V a 3.6V, rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C, controlador de programación/borrado

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP de 48 pines

Calidad y Fiabilidad

Capacidad de ciclado extendido, retención de datos: 20 años a 125°C, protección ESD

Ventajas del Producto

Alta densidad de 4Mbit, fácil integración en varios sistemas gracias a su paquete estándar

Competitividad del Producto

Bien adaptado para aplicaciones portátiles de bajo consumo, compatible con muchos microcontroladores

Compatibilidad

Compatible con los estándares JEDEC

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS y otros estándares ambientales

Duración y Sostenibilidad

Duradero con una vida útil típica de 100,000 ciclos

Campos de Aplicación Real

Sistemas embebidos, equipos de telecomunicaciones, electrónica de consumo, sistemas de automatización industrial

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