M29W800DT-70N6
Número de pieza M29W800DT-70N6
Fabricante ST
Descripción M29W800DT-70N6 ST
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Información técnica de M29W800DT-70N6
Número de pieza del fabricante M29W800DT-70N6 Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante ST Descripción M29W800DT-70N6 ST
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Modelo de Producto

M29W800DT-70N6

Introducción

Dispositivo de memoria flash diseñado para el almacenamiento de datos de alta velocidad.

Marca y Fabricante

STMicroelectronics (ST)

Características

Arquitectura de sector de bloque de arranque superior

Tiempo de acceso de 70 ns

Bajo consumo de energía

Optimización de velocidad de programación y borrado

Protección de bloque de hardware

Rendimiento del Producto

Alta fiabilidad con 10,000 ciclos de escritura/borrado

Tiempo de programación: 10 µs por byte típico

Tiempo de borrado por sector: típico 1 segundo de alta granularidad

Especificaciones Técnicas

Capacidad de 8 Mbit (1M x 8 o 512K x 16)

Tamaño de sector de bloque de arranque: 16 Kbytes

Voltaje de alimentación: 3.0 a 3.6 V

Tiempo de acceso de lectura rápido

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP48

Perfil delgado y ligero

Calidad y Fiabilidad

Amplio rango de temperatura de operación

Retención de datos inherente

Ventajas del Producto

Arquitectura de sector flexible para segregación de código/datos

Top boot block para almacenamiento seguro de código

Competitividad del Producto

Altamente competitivo en los mercados de automoción, industrial y computación

Compatibilidad

Compatible con estándares JEDEC para memoria flash

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normas RoHS y JEDEC

Duración y Sostenibilidad

Retención de datos a largo plazo de hasta 20 años

Campos de Aplicación Real

Electrónica automotriz

Almacenamiento de código de arranque en PCs y dispositivos de alta tecnología

Electrónica digital de consumo

Sistemas de control industrial

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