M24C01-WMN6P
Número de pieza M24C01-WMN6P
Fabricante STMicroelectronics
Descripción IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
cantidad disponible 20400 pcs new original in stock.
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Información técnica de M24C01-WMN6P
Número de pieza del fabricante M24C01-WMN6P Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante STMicroelectronics Descripción IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
Paquete / caja 8-SOIC cantidad disponible 20400 pcs
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 5ms Suministro de voltaje 2.5V ~ 5.5V
Tecnología EEPROM Paquete del dispositivo 8-SOIC
Serie - Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tube Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 1Kbit Organización de la memoria 128 x 8
Interfaz de memoria I²C Formato de memoria EEPROM
Frecuencia de reloj 400 kHz Número de producto base M24C01
Tiempo de acceso 900 ns M24C01-WMN6P Detalles PDF [English] M24C01-WMN6P PDF - EN.pdf
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Modelo de Producto

M24C01-WMN6P

Introducción

EEPROM Serial-I2C de 1K-bit 128 x 8 3.3V/5V y encapsulado SOIC de 8 pines.

Marca y Fabricante

STMicroelectronics

Características

EEPROM no volátil, tamaño de memoria de 1Kbit, interfaz I2C, organización de memoria de 128 x 8.

Rendimiento del Producto

Tiempo de ciclo de escritura: 5ms para palabra, página. Tiempo de acceso: 900 ns. Frecuencia de reloj de 400 kHz.

Especificaciones Técnicas

Formato de memoria: EEPROM. Tecnología: EEPROM.

Dimensiones, Forma y Empaque

Montaje en superficie 8-SOIC. Dimensiones: 0.154" (3.90mm) de ancho. Embalaje: tubo.

Calidad y Fiabilidad

Rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C.

Ventajas del Producto

Rango de temperatura robusto para un uso versátil.

Competitividad del Producto

Adecuado para aplicaciones donde la madurez del diseño es esencial.

Compatibilidad

Compatible con la interfaz de bus I2C.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumplimiento con los estándares de STMicroelectronics para dispositivos EEPROM.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una retención de datos a largo plazo y fiabilidad.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en el almacenamiento de memoria de dispositivos heredados.

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