Modelo de Producto

T1189N12TOF

Introducción

Módulo de transistor bipoloar con puerta aislada de alta potencia (IGBT, por sus siglas en inglés)

Marca y Fabricante

Módulo IGBT

Características

Mejorado rendimiento térmico

Bajo carga de puerta

Conmutación de alta velocidad

Diodo de antiparalelo integrado

Optimizado para eficiencia energética

Rendimiento del Producto

Alta capacidad de manejo de corriente

Bajas pérdidas de conducción

Características de conmutación superiores

Mejorada fiabilidad bajo altas frecuencias de conmutación

Especificaciones Técnicas

Tensión Colector-Emitor: 1200 V

Corriente Colector: 1800 A

Tensión Puerta-Emitor: ±20 V

Temperatura Máxima en la Unión: 150°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Tamaño del módulo: 190 mm x 140 mm x 40 mm

Forma rectangular

Empaquetado en contenedores antiestáticos

Calidad y Fiabilidad

Pruebas rigurosas de durabilidad y rendimiento

Diseñado para soportar condiciones ambientales adversas

Larga vida operativa con mínima degradación

Ventajas del Producto

Alta eficiencia y densidad de potencia

Control mejorado de los parámetros de conmutación

Reducción en las pérdidas de potencia

Competitividad del Producto

Rendimiento superior en aplicaciones de alta potencia

Precios competitivos en su categoría

Elección preferida para sistemas de potencia industrial y comercial

Compatibilidad

Compatible con drivers de puerta estándar

Integración flexible en sistemas existentes

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las regulaciones RoHS y REACH

Certificado UL

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida útil bajo condiciones operativas rigurosas

Materiales y construcción ecológicos

Campos de Aplicación Real

Sistemas de energía renovable

Motores y convertidores

Sistemas de gestión de potencia

Sistemas de potencia para vehículos eléctricos

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