Modelo de Producto

AT25BCM512B-MAH-T

Introducción

Dispositivo de Memoria FLASH de Renesas Electronics

Marca y Fabricante

Renesas Electronics America

Características

Memoria FLASH No Volátil, Interfaz Periférica en Serie (SPI), Frecuencia de Reloj Alta de 70 MHz, Ciclo de Escritura Rápido, Operación a Bajo Voltaje

Rendimiento del Producto

Tamaño de Memoria de 512Kbit, Organización de Memoria 64K x 8, Frecuencia de Reloj de 70 MHz para Transferencia Rápida de Datos, Tiempo de Escritura Rápido con 15µs Palabra y 5ms Página

Especificaciones Técnicas

Tipo de Memoria: FLASH No Volátil, Tecnología: Memoria FLASH, Interfaz de Memoria: SPI, Rango de Temperatura de Operación: -40°C a 85°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete UFDFN con Placa Exposta, Paquete de Dispositivo Proveedor: 8-UDFN (2x3)

Calidad y Fiabilidad

La obsolescencia indica el estado de componente legado

Ventajas del Producto

Paquete UFDFN Compacto con Placa Exposta para Pequeño Pies de Apoyo, Interfaz SPI para Integración Fácil

Competitividad del Producto

Alta Velocidad y Eficiencia en un Pequeño Paquete

Compatibilidad

Compatible con SPI con Varias Microcontroladoras y Procesadores

Certificación y Cumplimiento Estándar

El producto cumple con especificaciones y controles de calidad de estándar de la industria

Duración y Sostenibilidad

Duradero sobre un amplio rango de temperatura, asegurando una larga vida útil operativa

Campos de Aplicación Real

Potencialmente utilizado en electrónica legada que requiere almacenamiento de memoria FLASH

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