Modelo de Producto

CY62157DV30LL-55BVI

Introducción

Chip de memoria SRAM de alta velocidad para aplicaciones de computación avanzadas

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Memoria SRAM de alta densidad. Interfaz asíncrona para un acceso rápido y una integración sencilla. Soporta un amplio rango de voltajes de funcionamiento de 2.2V a 3.6V.

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso rápido de 55 ns. Tiempo de ciclo de escritura también de 55 ns, lo que permite un manejo de datos eficiente.

Especificaciones Técnicas

Tipo de memoria: SRAM volátil. Tamaño de memoria: 8Mbit. Organización de memoria: 512K x 16. Interfaz de memoria: Paralela. Tecnología: SRAM - Asíncrona.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete: 48-VFBGA. Dimensiones específicas de 6x8 VFBGA. Envasado: A granel, adecuado para fabricación y procesamiento a gran escala.

Calidad y Fiabilidad

Funciona de manera confiable en un rango de temperatura de -40°C a 85°C. Tecnología de montaje en superficie para un montaje robusto y duradero.

Ventajas del Producto

Optimizado para aplicaciones de bajo consumo y alta velocidad. Fácil integración en sistemas existentes con interfaz paralela.

Competitividad del Producto

Compite bien en mercados que requieren soluciones de almacenamiento de memoria rápidas y confiables.

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de microcontroladores y procesadores debido a su interfaz paralela estándar.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las certificaciones industriales estándar para seguridad y rendimiento.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una confiabilidad a largo plazo y un rendimiento consistente durante su vida útil.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en telecomunicaciones, automatización industrial y sistemas automotrices, entre otros.

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