CY62177EV18LL-70BAXI
Número de pieza CY62177EV18LL-70BAXI
Fabricante Infineon Technologies
Descripción IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA
cantidad disponible 3012 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
Hojas de datos 1.CY62177EV18LL-70BAXI.pdf2.CY62177EV18LL-70BAXI.pdf3.CY62177EV18LL-70BAXI.pdf4.CY62177EV18LL-70BAXI.pdf5.CY62177EV18LL-70BAXI.pdf
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Información técnica de CY62177EV18LL-70BAXI
Número de pieza del fabricante CY62177EV18LL-70BAXI Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Cypress Semiconductor Descripción IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA
Paquete / caja 48-FBGA (8x9.5) cantidad disponible 3012 pcs
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 70ns Suministro de voltaje 1.65V ~ 2.25V
Tecnología SRAM - Asynchronous Paquete del dispositivo 48-FBGA (8x9.5)
Serie MoBL® Paquete / Cubierta 48-TFBGA
Paquete Tray Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 32Mbit Organización de la memoria 4M x 8, 2M x 16
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria SRAM
Número de producto base CY62177 Tiempo de acceso 70 ns
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Modelo de Producto

CY62177EV18LL-70BAXI

Introducción

Memoria SRAM Asíncrona para Aplicaciones de Alto Rendimiento

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

SRAM de Alta Velocidad con Interfaz Asíncrona, Bajo Consumo en Modo de Espera para Eficiencia Energética, Función de Apagado Automático al Ser Desactivada

Rendimiento del Producto

Tiempo de Acceso Rápido: 70 ns, Tiempo de Ciclo de Escritura: 70 ns

Especificaciones Técnicas

Tamaño de Memoria: 32Mbit, Organización de Memoria: 4M x 8, 2M x 16, Suministro de Voltaje: 1.65V ~ 2.25V, Formato de Memoria: SRAM - Asíncrona

Dimensiones, Forma y Empaque

Embalaje: Bandeja, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Paquete/Caja: 48-TFBGA, Paquete del Proveedor: 48-FBGA (8x9.5)

Calidad y Fiabilidad

Rango de Temperatura de Operación: -40°C ~ 85°C, Solución de Almacenamiento Robusta para Aplicaciones Industriales

Ventajas del Producto

Tecnología MoBL® (Más Tiempo de Batería™) para Dispositivos Alimentados por Batería, Huella de Alta Densidad de Memoria

Competitividad del Producto

Tiempo de Acceso y Requisitos de Energía Competitivos en su Clase

Compatibilidad

Interfaz de Memoria Paralela para Amplia Compatibilidad con Varios Microcontroladores

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con Protocolos de SRAM Estándar de la Industria

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para Fiabilidad a Largo Plazo en Varias Aplicaciones

Campos de Aplicación Real

Sistemas Embebidos, Electrónica Portátil, Infraestructura de Telecomunicaciones, Sistemas Automotrices

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