Modelo de Producto

CY7C1041DV33-10ZSXT

Introducción

Memoria RAM estática CMOS de alta velocidad

Marca y Fabricante

Cypress Semiconductor

Características

Densidad de 4 Mbit, tiempo de acceso de alta velocidad, bajo consumo de energía, apagado automático al deseleccionarse

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso de 10 ns, voltaje de operación de 3.3V, modos de potencia activa y en espera

Especificaciones Técnicas

SRAM de 4M bit (256K x 16), paquete ZS (TSOP-44), rango de temperatura comercial

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP de 44 pines (Tipo II), montaje en superficie

Calidad y Fiabilidad

Robusta detección y corrección de errores, alta MTBF (Tiempo Medio Entre Fallas)

Ventajas del Producto

Optimizado para computación de alta velocidad y procesamiento de datos, fácil integración en diseños de sistemas

Competitividad del Producto

Competitivo en el mercado de memorias de alta velocidad, adecuado para aplicaciones de alto rendimiento

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de microprocesadores y microcontroladores

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, cumple o supera los estándares de la industria para SRAM

Duración y Sostenibilidad

Vida útil prolongada con bajas tasas de fallas, diseñado para una confiabilidad a largo plazo

Campos de Aplicación Real

Telecomunicaciones, computación, equipos de redes, sistemas de control industrial

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