Modelo de Producto

CY7C1049GN30-10ZSXIT

Introducción

SRAM de 4Mbit de alta velocidad

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Tipo de memoria volátil, tecnología SRAM asíncrona, interfaz de memoria paralela, tiempo de ciclo de escritura rápido

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso de 10ns, adecuado para aplicaciones de alta velocidad, rendimiento de lectura/escritura fiable

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria de 4Mbit, organización de memoria de 512K x 8, rango de voltaje de suministro de 2.2V a 3.6V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete 44-TSOP II, tipo de montaje de montaje en superficie, empaquetado en cinta y carrete

Calidad y Fiabilidad

Amplio rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C, diseño robusto adecuado para aplicaciones industriales

Ventajas del Producto

Eficiente para diseños sensibles al consumo, optimizado para almacenamiento de datos de alta velocidad

Competitividad del Producto

Altamente compatible con una variedad de aplicaciones, tiempos de acceso competitivos

Compatibilidad

Interfaz paralela estándar para integración de memoria, se integra fácilmente con numerosos microcontroladores y procesadores

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normas de la industria para dispositivos de memoria

Duración y Sostenibilidad

Construcción duradera que garantiza una larga vida útil, diseñado para soportar condiciones de operación exigentes

Campos de Aplicación Real

Ideal para comunicaciones en red, procesamiento de señales digitales y sistemas embebidos

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