Modelo de Producto

CY7C1312KV18-300BZXI

Introducción

SRAM Síncrono de alta velocidad de 18Mbit con tecnología QDR II.

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Tipo de memoria volátil

Tecnología SRAM síncrona QDR II

Interfaz paralela

Capaz de operaciones a alta velocidad

Rendimiento del Producto

Frecuencia de reloj rápida de 300 MHz

Soporta un amplio rango de temperaturas de operación

Especificaciones Técnicas

SRAM Síncrono, QDR II

Tamaño de 18Mbit con una organización de 1M x 18

Dimensiones, Forma y Empaque

Montaje superficial 165-LBGA

Empaquetado en una bandeja

Paquete del dispositivo: 165-FBGA (13x15)

Calidad y Fiabilidad

Adecuado para operar en temperaturas entre -40°C y 85°C

Ventajas del Producto

Huella de alta densidad para aplicaciones intensivas en memoria

Competitividad del Producto

Ideal para aplicaciones que requieren acceso a datos a alta velocidad

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de dispositivos gracias a su Interfaz de Memoria Paralela

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares industriales para memoria SRAM

Duración y Sostenibilidad

Designado como Última Compra, principalmente dirigido a aplicaciones con una vida útil definida

Campos de Aplicación Real

Utilizado en sistemas de redes y telecomunicaciones, memoria caché para procesadores y aplicaciones de computación de alto rendimiento.

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