CY7C1470BV33-167AXI
Número de pieza CY7C1470BV33-167AXI
Fabricante Infineon Technologies
Descripción IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP
cantidad disponible 2628 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de CY7C1470BV33-167AXI
Número de pieza del fabricante CY7C1470BV33-167AXI Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Cypress Semiconductor Descripción IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP
Paquete / caja 100-TQFP (14x20) cantidad disponible 2628 pcs
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página - Suministro de voltaje 3.135V ~ 3.6V
Tecnología SRAM - Synchronous, SDR Paquete del dispositivo 100-TQFP (14x20)
Serie NoBL™ Paquete / Cubierta 100-LQFP
Paquete Tray Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 72Mbit Organización de la memoria 2M x 36
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria SRAM
Frecuencia de reloj 167 MHz Número de producto base CY7C1470
Tiempo de acceso 3.4 ns  
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Modelo de Producto

CY7C1470BV33-167AXI

Introducción

Chip de memoria SRAM de alta velocidad y sincrónica.

Marca y Fabricante

Infineon Technologies.

Características

Arquitectura sin latencia de bus (NoBL), operación sincrónica, soporta operaciones de lectura y escritura en pipeline sincrónicas.

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso rápido de 3.4 ns, soporte de frecuencia de reloj de hasta 167 MHz.

Especificaciones Técnicas

SRAM sincrónica de 72 Mbit, organización de memoria: 2M x 36, tecnología SDR (Single Data Rate) sincrónica.

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaquetado en bandeja, Paquete cuadrilátero de bajo perfil de 100 pines (LQFP), tecnología de montaje superficial, dimensiones del paquete: 100-TQFP (14x20).

Calidad y Fiabilidad

Amplio rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C, diseñado para alta fiabilidad y estabilidad.

Ventajas del Producto

Tiempos de acceso y ciclos rápidos para aplicaciones de alto rendimiento, funciones integradas en el chip que optimizan la usabilidad.

Competitividad del Producto

Alta capacidad de ancho de banda de memoria y densidad favorecen aplicaciones complejas, competitivo en el mercado de SRAM para dispositivos industriales y de comunicación.

Compatibilidad

Amplio rango de voltaje de suministro de 3.135V a 3.6V, interfaz de memoria paralela que permite una integración fácil.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumplimiento con especificaciones y requisitos estándar de la industria.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para un ciclo de vida prolongado en condiciones exigentes.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en redes, telecomunicaciones y aplicaciones industriales, ideal para almacenamiento y almacenamiento en búfer de datos a alta velocidad.

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