CY7C1470BV33-167AXI | |
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Número de pieza | CY7C1470BV33-167AXI |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP |
cantidad disponible | 2628 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.CY7C1470BV33-167AXI.pdf2.CY7C1470BV33-167AXI.pdf3.CY7C1470BV33-167AXI.pdf4.CY7C1470BV33-167AXI.pdf |
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Información técnica de CY7C1470BV33-167AXI | |||
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Número de pieza del fabricante | CY7C1470BV33-167AXI | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Cypress Semiconductor | Descripción | IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP |
Paquete / caja | 100-TQFP (14x20) | cantidad disponible | 2628 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.6V |
Tecnología | SRAM - Synchronous, SDR | Paquete del dispositivo | 100-TQFP (14x20) |
Serie | NoBL™ | Paquete / Cubierta | 100-LQFP |
Paquete | Tray | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 72Mbit | Organización de la memoria | 2M x 36 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
Frecuencia de reloj | 167 MHz | Número de producto base | CY7C1470 |
Tiempo de acceso | 3.4 ns | ||
Descargar | CY7C1470BV33-167AXI PDF - EN.pdf |
CY7C1470BV33-167AXI
Chip de memoria SRAM de alta velocidad y sincrónica.
Infineon Technologies.
Arquitectura sin latencia de bus (NoBL), operación sincrónica, soporta operaciones de lectura y escritura en pipeline sincrónicas.
Tiempo de acceso rápido de 3.4 ns, soporte de frecuencia de reloj de hasta 167 MHz.
SRAM sincrónica de 72 Mbit, organización de memoria: 2M x 36, tecnología SDR (Single Data Rate) sincrónica.
Empaquetado en bandeja, Paquete cuadrilátero de bajo perfil de 100 pines (LQFP), tecnología de montaje superficial, dimensiones del paquete: 100-TQFP (14x20).
Amplio rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C, diseñado para alta fiabilidad y estabilidad.
Tiempos de acceso y ciclos rápidos para aplicaciones de alto rendimiento, funciones integradas en el chip que optimizan la usabilidad.
Alta capacidad de ancho de banda de memoria y densidad favorecen aplicaciones complejas, competitivo en el mercado de SRAM para dispositivos industriales y de comunicación.
Amplio rango de voltaje de suministro de 3.135V a 3.6V, interfaz de memoria paralela que permite una integración fácil.
Cumplimiento con especificaciones y requisitos estándar de la industria.
Diseñado para un ciclo de vida prolongado en condiciones exigentes.
Utilizado en redes, telecomunicaciones y aplicaciones industriales, ideal para almacenamiento y almacenamiento en búfer de datos a alta velocidad.
CY7C1470BV33-167AXI Acciones | Precio CY7C1470BV33-167AXI | CY7C1470BV33-167AXI Electrónica |
Componentes CY7C1470BV33-167AXI | Inventario CY7C1470BV33-167AXI | CY7C1470BV33-167AXI Digikey |
Proveedor CY7C1470BV33-167AXI | Orden CY7C1470BV33-167AXI en línea | Consulta CY7C1470BV33-167AXI |
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