| CY7C2670KV18-450BZI | |
|---|---|
| Número de pieza | CY7C2670KV18-450BZI |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA |
| cantidad disponible | 2924 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | CY7C2670KV18-450BZI.pdf |
| CY7C2670KV18-450BZI Price |
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| Información técnica de CY7C2670KV18-450BZI | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | CY7C2670KV18-450BZI | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Fabricante | Cypress Semiconductor | Descripción | IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA |
| Paquete / caja | 165-FBGA (15x17) | cantidad disponible | 2924 pcs |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ | Paquete del dispositivo | 165-FBGA (15x17) |
| Serie | - | Paquete / Cubierta | 165-LBGA |
| Paquete | Tray | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 144Mbit | Organización de la memoria | 4M x 36 |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Frecuencia de reloj | 450 MHz | Número de producto base | CY7C2670 |
| Descargar | CY7C2670KV18-450BZI PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
CY7C2670KV18-450BZI
Introducción
Chip de memoria SRAM DDR II+ síncrono de alta velocidad.
Marca y Fabricante
Infineon Technologies.
Características
Interfaz DDR II+ síncrona. Organización de memoria de 4M x 36. Interfaz de memoria paralela. Soporte de frecuencia de reloj alta de hasta 450 MHz.
Rendimiento del Producto
Tiempos de acceso rápidos y alta capacidad de procesamiento de datos. Solución robusta de almacenamiento de memoria volátil. Soporta operaciones de ciclo de escritura para una gestión eficiente de datos.
Especificaciones Técnicas
Tamaño de memoria: 144Mbit. Rango de voltaje de suministro: 1.7V a 1.9V. Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C.
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete: bandeja. Tipo de montaje: montaje en superficie. Paquete/caja: 165-LBGA. Paquete del proveedor del dispositivo: 165-FBGA (15x17).
Calidad y Fiabilidad
Diseñado para alta confiabilidad y estabilidad. Funciona eficazmente en un amplio rango de temperaturas.
Ventajas del Producto
Operaciones de alta velocidad para aplicaciones exigentes. Almacenamiento robusto con acceso rápido a los datos.
Competitividad del Producto
Compite con soluciones SRAM de alta gama. Proporciona alto rendimiento para aplicaciones que requieren gran ancho de banda.
Compatibilidad
Compatible con sistemas que requieren SRAM síncrono DDR II+.
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumple con certificaciones estándar de la industria (certificaciones específicas no listadas).
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para una larga vida operativa. Apto para uso sostenible en diversos entornos.
Campos de Aplicación Real
Utilizado en redes de alta velocidad y telecomunicaciones. Aplicable en diseños de memoria para servidores y computación. Desplegado en sistemas industriales avanzados y empotrados.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ CY7C2670KV18-450BZI en línea.
| CY7C2670KV18-450BZI Acciones | Precio CY7C2670KV18-450BZI | CY7C2670KV18-450BZI Electrónica |
| Componentes CY7C2670KV18-450BZI | Inventario CY7C2670KV18-450BZI | CY7C2670KV18-450BZI Digikey |
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| Imagen CY7C2670KV18-450BZI | CY7C2670KV18-450BZI Picture | CY7C2670KV18-450BZI PDF |
| Hoja de datos CY7C2670KV18-450BZI | Descargar la hoja de datos de CY7C2670KV18-450BZI | Fabricante Cypress Semiconductor |
