Modelo de Producto

S29GL128S10DHB020

Introducción

Memoria Flash NOR paralela de alto rendimiento de 128Mbit diseñada para una amplia gama de aplicaciones.

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

128Mbit de memoria FLASH NO volátil. Organizada como 8M x 16. Interfaz de memoria paralela. Fiabilidad de grado automotriz. Calificado AEC-Q100.

Rendimiento del Producto

Tiempo de ciclo de escritura: 60ns. Tiempo de acceso: 100ns.

Especificaciones Técnicas

Tecnología: FLASH - NOR. Voltaje de alimentación: 2.7V a 3.6V. Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a 105°C.

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaquetado en bandeja. Paquete 64-LBGA. Montaje en superficie. Dimensiones: paquete de dispositivo del proveedor 64-FBGA (9x9).

Calidad y Fiabilidad

Cumple con rigurosos estándares automotrices. Resistencia y retención robustas.

Ventajas del Producto

Rendimiento de alta velocidad adecuado para aplicaciones avanzadas. Diseño duradero que permite un funcionamiento fiable en condiciones difíciles.

Competitividad del Producto

Posicionamiento competitivo en los mercados automotriz e industrial. Ofrece un equilibrio de rendimiento y fiabilidad.

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de microcontroladores y procesadores.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Certificado AEC-Q100 para estándares de fiabilidad automotriz. Cumple con los estándares industriales comunes para memoria Flash NOR.

Duración y Sostenibilidad

Soporte a largo plazo del producto y disponibilidad.

Campos de Aplicación Real

Electrónica automotriz. Sistemas de control industrial. Infraestructura de telecomunicaciones. Electrónica de consumo.

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