S29GL256N10FFI010
Número de pieza S29GL256N10FFI010
Fabricante Infineon Technologies
Descripción IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
cantidad disponible 2568 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
Hojas de datos 1.S29GL256N10FFI010.pdf2.S29GL256N10FFI010.pdf3.S29GL256N10FFI010.pdf4.S29GL256N10FFI010.pdf
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Información técnica de S29GL256N10FFI010
Número de pieza del fabricante S29GL256N10FFI010 Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Cypress Semiconductor Descripción IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
Paquete / caja 64-FBGA (13x11) cantidad disponible 2568 pcs
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 100ns Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Tecnología FLASH - NOR Paquete del dispositivo 64-FBGA (13x11)
Serie GL-N Paquete / Cubierta 64-LBGA
Paquete Box Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 256Mbit Organización de la memoria 32M x 8, 16M x 16
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria FLASH
Número de producto base S29GL256 Tiempo de acceso 100 ns
DescargarS29GL256N10FFI010 PDF - EN.pdf

Número de pieza del fabricante

S29GL256N10FFI010

Descripción

Memoria flash NOR de alta densidad con capacidad de 256Mbit, que presenta una interfaz paralela, tiempo de acceso de 100ns y un amplio rango de temperatura de -40°C a 85°C. Apta para diversas aplicaciones embebidas que requieren almacenamiento de memoria no volátil.

Embalaje del producto

Paquete 64-LBGA

Paquete 64-FBGA (13x11)

Tipo de montaje en superficie

Opera con un voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V

Soporta un rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C

¿Por qué elegir este producto?

Memoria flash NOR de alta densidad de 256Mbit

Rápido tiempo de acceso de 100ns

Amplio rango de temperatura de operación para un desempeño confiable en entornos diversos

Interfaz paralela para una fácil integración en sistemas embebidos

Adecuada para diversas aplicaciones que requieren almacenamiento de datos no volátil

Principales características

Capacidad de memoria de 256Mbit

Organización de memoria 32M x 8, 16M x 16

Interfaz de memoria paralela

Tiempo de acceso de 100ns

Tiempo de ciclo de escritura de palabra/página de 100ns

Operación con voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V

Rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C

Compatibilidad del producto

Compatible con una amplia gama de sistemas embebidos y dispositivos que requieren memoria no volátil de alta densidad y acceso rápido.

Principales ventajas

Almacenamiento de alta densidad para aplicaciones que requieren muchos datos

Rápida velocidad de acceso y escritura para un rendimiento ágil

Amplio rango de temperatura para uso en entornos diversos

La interfaz paralela simplifica la integración en sistemas embebidos

Ciclo de vida del producto

Este producto ya no está disponible.

Se recomienda a los clientes contactar a nuestro equipo de ventas a través del sitio web para información sobre modelos equivalentes o alternativos que puedan estar disponibles.

Áreas clave de aplicación

Sistemas embebidos

Automatización industrial

Electrónica automotriz

Equipos de telecomunicaciones

Dispositivos médicos

Electrónica de consumo

Actúa ahora

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Hoja de datos S29GL256N10FFI010Descargar la hoja de datos de S29GL256N10FFI010Fabricante Cypress Semiconductor
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