S29GL256N10FFI010 | |
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Número de pieza | S29GL256N10FFI010 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
cantidad disponible | 2568 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.S29GL256N10FFI010.pdf2.S29GL256N10FFI010.pdf3.S29GL256N10FFI010.pdf4.S29GL256N10FFI010.pdf |
S29GL256N10FFI010 Price |
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Información técnica de S29GL256N10FFI010 | |||
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Número de pieza del fabricante | S29GL256N10FFI010 | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Cypress Semiconductor | Descripción | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
Paquete / caja | 64-FBGA (13x11) | cantidad disponible | 2568 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 100ns | Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Tecnología | FLASH - NOR | Paquete del dispositivo | 64-FBGA (13x11) |
Serie | GL-N | Paquete / Cubierta | 64-LBGA |
Paquete | Box | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 256Mbit | Organización de la memoria | 32M x 8, 16M x 16 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | FLASH |
Número de producto base | S29GL256 | Tiempo de acceso | 100 ns |
Descargar | S29GL256N10FFI010 PDF - EN.pdf |
S29GL256N10FFI010
Memoria flash NOR de alta densidad con capacidad de 256Mbit, que presenta una interfaz paralela, tiempo de acceso de 100ns y un amplio rango de temperatura de -40°C a 85°C. Apta para diversas aplicaciones embebidas que requieren almacenamiento de memoria no volátil.
Paquete 64-LBGA
Paquete 64-FBGA (13x11)
Tipo de montaje en superficie
Opera con un voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V
Soporta un rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C
Memoria flash NOR de alta densidad de 256Mbit
Rápido tiempo de acceso de 100ns
Amplio rango de temperatura de operación para un desempeño confiable en entornos diversos
Interfaz paralela para una fácil integración en sistemas embebidos
Adecuada para diversas aplicaciones que requieren almacenamiento de datos no volátil
Capacidad de memoria de 256Mbit
Organización de memoria 32M x 8, 16M x 16
Interfaz de memoria paralela
Tiempo de acceso de 100ns
Tiempo de ciclo de escritura de palabra/página de 100ns
Operación con voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V
Rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C
Compatible con una amplia gama de sistemas embebidos y dispositivos que requieren memoria no volátil de alta densidad y acceso rápido.
Almacenamiento de alta densidad para aplicaciones que requieren muchos datos
Rápida velocidad de acceso y escritura para un rendimiento ágil
Amplio rango de temperatura para uso en entornos diversos
La interfaz paralela simplifica la integración en sistemas embebidos
Este producto ya no está disponible.
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Sistemas embebidos
Automatización industrial
Electrónica automotriz
Equipos de telecomunicaciones
Dispositivos médicos
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S29GL256N10FFI010 Acciones | Precio S29GL256N10FFI010 | S29GL256N10FFI010 Electrónica | |||
Componentes S29GL256N10FFI010 | Inventario S29GL256N10FFI010 | S29GL256N10FFI010 Digikey | |||
Proveedor S29GL256N10FFI010 | Orden S29GL256N10FFI010 en línea | Consulta S29GL256N10FFI010 | |||
Imagen S29GL256N10FFI010 | S29GL256N10FFI010 Picture | S29GL256N10FFI010 PDF | |||
Hoja de datos S29GL256N10FFI010 | Descargar la hoja de datos de S29GL256N10FFI010 | Fabricante Cypress Semiconductor |
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Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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