S29GL256P11FFIV23 | |
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Número de pieza | S29GL256P11FFIV23 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
cantidad disponible | 2844 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.S29GL256P11FFIV23.pdf2.S29GL256P11FFIV23.pdf3.S29GL256P11FFIV23.pdf4.S29GL256P11FFIV23.pdf5.S29GL256P11FFIV23.pdf |
S29GL256P11FFIV23 Price |
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Información técnica de S29GL256P11FFIV23 | |||
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Número de pieza del fabricante | S29GL256P11FFIV23 | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Cypress Semiconductor | Descripción | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
Paquete / caja | 64-FBGA (13x11) | cantidad disponible | 2844 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 110ns | Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Tecnología | FLASH - NOR | Paquete del dispositivo | 64-FBGA (13x11) |
Serie | GL-P | Paquete / Cubierta | 64-LBGA |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 256Mbit | Organización de la memoria | 32M x 8 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | FLASH |
Número de producto base | S29GL256 | Tiempo de acceso | 110 ns |
Descargar | S29GL256P11FFIV23 PDF - EN.pdf |
S29GL256P11FFIV23
Dispositivo de Memoria Flash para Aplicaciones de Alta Velocidad y Alta Densidad
Infineon Technologies
Memoria FLASH No Volátil, Interfaz de Memoria Paralela, Almacenamiento de Alta Densidad con Capacidad de 256Mbit, Soporta Operaciones de Lectura, Programación y Borrado
Tiempo de Acceso de 110ns para Recuperación Rápida de Datos, Tiempo de Ciclo de Escritura de 110ns para Palabras y Páginas, Amplio Rango de Voltaje de Suministro de 1.65V a 3.6V
Tecnología NOR FLASH, Organización de Memoria de 32M x 8, Formato de Memoria FLASH - NOR
Paquete 64-LBGA de Montaje Superficial, Empacado en Tape & Reel para Ensamblaje Automático, Dimensiones de 64-FBGA (13x11)
Diseñado para Almacenamiento de Datos Confiable y de Alto Rendimiento, Rango de Temperatura Operativa de -40°C a 85°C
Amplia Capacidad de Almacenamiento para Aplicaciones Complejas, Tiempos de Acceso y Programación Rápidos para Operaciones Eficientes
Competitivo en Mercados de Memoria de Alta Velocidad y Gran Almacenamiento, Fuerte Relación Rendimiento-Costo
Compatible con Sistemas que Requieren una Interfaz de Memoria Paralela, Se Ajusta a un Amplio Rango de Voltajes Operativos
Cumple con Certificaciones Estándar de la Industria para Componentes Electrónicos, Asegura Confiabilidad mediante Pruebas de Cumplimiento Rigurosas
Retención de Datos a Largo Plazo y Resistencia para Uso Sostenido, Adecuado para Productos que Requieren un Ciclo de Vida Extendido
Utilizado en una Variedad de Dispositivos Electrónicos como Teléfonos Móviles, PCs y Cámaras Digitales, Ideal para las Industrias Automotriz, de Redes y Telecomunicaciones
S29GL256P11FFIV23 Acciones | Precio S29GL256P11FFIV23 | S29GL256P11FFIV23 Electrónica | |||
Componentes S29GL256P11FFIV23 | Inventario S29GL256P11FFIV23 | S29GL256P11FFIV23 Digikey | |||
Proveedor S29GL256P11FFIV23 | Orden S29GL256P11FFIV23 en línea | Consulta S29GL256P11FFIV23 | |||
Imagen S29GL256P11FFIV23 | S29GL256P11FFIV23 Picture | S29GL256P11FFIV23 PDF | |||
Hoja de datos S29GL256P11FFIV23 | Descargar la hoja de datos de S29GL256P11FFIV23 | Fabricante Cypress Semiconductor |
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