Modelo de Producto

S29GL512S11TFIV20

Introducción

Memoria FLASH de alta densidad de 512Mbit

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Memoria FLASH No Volátil, Interfaz de Memoria Paralela, Tiempo de Ciclo de Escritura de 60ns, Tiempo de Acceso de 110 ns

Rendimiento del Producto

Operaciones de Lectura/Escritura de alta velocidad, Retención de datos confiable, Amplio rango de temperatura operativa desde -40°C hasta 85°C

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria: 512Mbit, Organización de memoria: 32M x 16, Tecnología: FLASH - NOR

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de montaje en superficie 56-TFSOP, Medidas: 0.724", 18.40mm de ancho, Suministrado en empaque tipo bandeja

Calidad y Fiabilidad

Pruebas de calidad según estándares de la industria, Fiabilidad comprobada en diversas condiciones de temperatura

Ventajas del Producto

Alta capacidad de almacenamiento, Robustez en el rendimiento a altas temperaturas, Velocidades de acceso y escritura rápidas

Competitividad del Producto

Optimizado para aplicaciones de alto rendimiento, Longevidad en el mercado con estatus de producto activo

Compatibilidad

Compatible con dispositivos anfitriones de interfaz paralela

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares relevantes de la industria

Duración y Sostenibilidad

Diseñada para un ciclo de vida prolongado en entornos adversos

Campos de Aplicación Real

Sistemas embebidos, Aplicaciones industriales, Infraestructura de comunicaciones, Electrónica automotriz

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