| SISA01DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SISA01DN-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| cantidad disponible | 60000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.SISA01DN-T1-GE3.pdf2.SISA01DN-T1-GE3.pdf3.SISA01DN-T1-GE3.pdf |
| SISA01DN-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SISA01DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SISA01DN-T1-GE3 | Categoría | |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8 | cantidad disponible | 60000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Número de producto base | SISA01 | ||
| Descargar | SISA01DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
SISA01DN-T1-GE3
Introducción
MOSFET de Canal P para Conversión y Conmutación de Potencia
Marca y Fabricante
Electro-Films (EFI) / Vishay
Características
Conversión de Potencia Eficiente, Alta Velocidad de Conmutación, Bajo Resistencia en Conducción, Disipación de Potencia Reducida
Rendimiento del Producto
Alto Corriente de Drenaje Continuo, Funciona en un Amplio Rango de Temperatura, Excelente Rendimiento Térmico
Especificaciones Técnicas
MOSFET de Canal P 30V 60A, Paquete PowerPAK 1212-8
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete Cuadrado PowerPAK 1212-8, Envío en Cinta y Reel (TR) para Montaje Automatizado
Calidad y Fiabilidad
Sin Plomo / Cumple con RoHS, Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1
Ventajas del Producto
Alta Capacidad de Corriente, Baja Resistencia Térmica
Competitividad del Producto
Tecnología TrenchFET Gen IV Avanzada
Compatibilidad
Compatible con Tecnología de Montaje en Superficie
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumple o Excede los Estándares de la Industria para Sin Plomo y RoHS
Duración y Sostenibilidad
Diseño Robusto para Fiabilidad a Largo Plazo
Campos de Aplicación Real
Gestión de Potencia, Convertidores DC/DC, Sistemas de Gestión de Baterías
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SISA01DN-T1-GE3 en línea.
| SISA01DN-T1-GE3 Acciones | Precio SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Electrónica | |||
| Componentes SISA01DN-T1-GE3 | Inventario SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Proveedor SISA01DN-T1-GE3 | Orden SISA01DN-T1-GE3 en línea | Consulta SISA01DN-T1-GE3 | |||
| Imagen SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Picture | SISA01DN-T1-GE3 PDF | |||
| Hoja de datos SISA01DN-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SISA01DN-T1-GE3 | Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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SIS965L | SIS | |||
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SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIS964L | SIS BGA | SIS | ||
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SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS968 B0 AA | SIS BGA | SIS | ||
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SIS968 BO | SIS | |||
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SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS965 B1 | SIS BGA | SIS | ||
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SISA10BDN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
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SISA12ADN | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SIS965 | SIS | |||
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SISA04DN-T1-GE3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SISA10DN-T1 | SISA10DN-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SISA10DN | SISA10DN vishay | vishay | ||
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