| MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | |
|---|---|
| Número de pieza | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
| Fabricante | Kaga FEI America, Inc. |
| Descripción | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
| cantidad disponible | 2578 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf2.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf3.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf4.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf5.MB85RC512TPNF-G-JNERE1.pdf |
| MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Price |
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| Información técnica de MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Fabricante | Fujitsu Electronics America, Inc. | Descripción | IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP |
| Paquete / caja | 8-SOP | cantidad disponible | 2578 pcs |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
| Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) | Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | - | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 512Kbit | Organización de la memoria | 64K x 8 |
| Interfaz de memoria | I²C | Formato de memoria | FRAM |
| Frecuencia de reloj | 3.4 MHz | Número de producto base | MB85RC512 |
| Tiempo de acceso | 130 ns | ||
| Descargar | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
MB85RC512TPNF-G-JNERE1
Introducción
Memoria de Acceso Aleatorio Ferroeléctrica (FRAM)
Marca y Fabricante
Fujitsu Electronics America, Inc.
Características
Tecnología de memoria no volátil, alta velocidad de lectura y escritura de datos, bajo consumo de energía, sin retraso en el acceso de escritura
Rendimiento del Producto
Durabilidad de 10^12 ciclos de lectura/escritura, retención de datos de 10 años a +85°C, interfaz I2C de 2 hilos con serialización rápida
Especificaciones Técnicas
Tamaño de memoria: 512Kb (64K x 8), Tipo de memoria: FRAM, Velocidad: 3.4MHz, Formato de memoria: FRAM, Tensión de alimentación: 1.8 V ~ 3.6 V, Temperatura de operación: -40°C ~ 85°C (TA)
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete/Caso: 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho), Embalaje del fabricante: 8-SOP, Empaque: Tape & Reel (TR), Paquete del proveedor: 8-SOP
Calidad y Fiabilidad
Libre de plomo / Cumple con RoHS, alta fiabilidad para aplicaciones industriales
Ventajas del Producto
Almacenamiento instantáneo no volátil, no requiere batería para retener datos
Competitividad del Producto
Bajo consumo para vida útil prolongada de la batería, amplio rango de temperatura de operación, alta durabilidad de lectura/escritura para aplicaciones de acceso frecuente
Compatibilidad
IC, interfaz serial de 2 hilos para integración sencilla con la mayoría de los microcontroladores
Certificación y Cumplimiento Estándar
Totalmente conforme con las regulaciones RoHS
Duración y Sostenibilidad
Hasta 10 años de retención de datos a altas temperaturas, ecológico sin necesidad de batería
Campos de Aplicación Real
Automatización industrial, sistemas de medición y control, dispositivos médicos, electrónica automotriz, sistemas de registro de datos
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ MB85RC512TPNF-G-JNERE1 en línea.
| MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Acciones | Precio MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Electrónica |
| Componentes MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | Inventario MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Digikey |
| Proveedor MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | Orden MB85RC512TPNF-G-JNERE1 en línea | Consulta MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
| Imagen MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Picture | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 PDF |
| Hoja de datos MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | Descargar la hoja de datos de MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | Fabricante Fujitsu Electronics America, Inc. |
