Modelo de Producto

IDT71V016S15Y

Introducción

RAM estática de alta velocidad 3.3V 1M x 16

Marca y Fabricante

Tecnología de Dispositivos Integrados IDT

Características

RAM de alta densidad de 1 megabit, suministro de energía a 3.3V, tiempo de acceso: 15ns, bajo consumo de energía, habilitación de salida (OE) y dos habilitaciones de chip (CE1, CE2) para mayor facilidad de uso, apagado automático al ser deseleccionado.

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso rápido y alto ancho de banda de datos, estable en diversas rangos de temperatura, eficiente en operación, minimizando el desperdicio de energía.

Especificaciones Técnicas

Diseño de memoria 1M x 16, tecnología CMOS, modos de espera y activo.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP II de 44 pines estándar en la industria, diseño compacto adecuado para aplicaciones con espacio limitado.

Calidad y Fiabilidad

Soporte a largo plazo del vendedor, tecnología probada basada en la experiencia de fabricación de IDT.

Ventajas del Producto

Rendimiento de alta velocidad ideal para aplicaciones de computación avanzadas, gestión de energía eficiente para dispositivos a batería.

Competitividad del Producto

Tiempos de acceso y densidad competitivos en el mercado de SRAM, reputación de IDT por calidad y fiabilidad.

Compatibilidad

Compatible con una amplia variedad de microprocesadores y procesadores de señales digitales.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normas RoHS, satisface las especificaciones electrónicas estándar de la industria para circuitos integrados.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa en condiciones normales, apoya el uso sostenible a través de la eficiencia energética.

Campos de Aplicación Real

Sistemas embebidos, computación, infraestructura de comunicaciones, electrónica de consumo, electrónica automotriz.

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