Modelo de Producto

AUIRS21811STR

Introducción

Driver de potencia MOSFET y IGBT de alta tensión y alta velocidad con canales de salida referenciados de alta y baja independientes.

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Configuración de media puente, tipo de canal independiente, controladores duales para IGBT y MOSFET de canal N, tipo de entrada no inversora, circuitería bootstrap para conducción del lado alto, protección integrada contra bajo voltaje.

Rendimiento del Producto

Rango de voltaje de suministro: 10V a 20V, umbrales de entrada lógica: VIL 0.8V, VIH 2.5V, altas corrientes de salida pico: fuente 1.9A, drenaje 2.3A, voltaje de lado alto: máximo 600V (bootstrap), altas velocidades de conmutación: tiempo de subida 60ns, tiempo de bajada 35ns (máx.).

Especificaciones Técnicas

Rango de voltaje de control: 10V a 20V, umbrales de entrada lógica: VIL 0.8V, VIH 2.5V, corriente pico de salida: fuente 1.9A, drenaje 2.3A, voltaje máximo bootstrap: 600V, tiempo de subida/bajada: 60ns/35ns.

Dimensiones, Forma y Empaque

Tipo de montaje: montaje en superficie, paquete 8-SOIC (0.154'', 3.90mm de ancho), embalaje en cinta y carrete (TR).

Calidad y Fiabilidad

Rango de temperatura de operación: -40°C a 150°C.

Ventajas del Producto

Alta integración para diseños compactos, diseño simplificado para configuraciones de media puente.

Competitividad del Producto

Adecuado para operaciones de alta frecuencia, duradero y fiable a altas temperaturas.

Compatibilidad

Interfaz con microcontroladores o lógica digital.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Paquete SOIC-8 conforme a estándares de la industria.

Duración y Sostenibilidad

Rendimiento térmico robusto que extiende la vida útil.

Campos de Aplicación Real

Fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, control de motores, inversores y audio de clase D.

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