Modelo de Producto

BSC082N10LS G

Introducción

Transistor de potencia MOSFET canal N

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Modo de mejora canal N, baja resistencia en estado ON, conmutación de alta velocidad, alta densidad de potencia, optimizado para rectificación sincrónica, comportamiento térmico mejorado, carga de puerta minimizada.

Rendimiento del Producto

Alta capacidad de transporte de corriente, bajo voltaje de caída bajo carga, tiempos de conmutación rápidos, robusto frente a conmutaciones bruscas.

Especificaciones Técnicas

Vds - Tensión de ruptura drenador-fuente: 100V, Rds On - Resistencia drenador-fuente: 8.2 mOhm, Id - Corriente continua de drenador: 100A, Qg - Carga de puerta: 47nC.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-220-3, forma de pata recta, embalaje en cantidad.

Calidad y Fiabilidad

Tecnología MOSFET comprobada, rigurosamente probado para resistencia, conforme a normas industriales.

Ventajas del Producto

Eficiente en términos energéticos, reduce la complejidad del sistema, ofrece soluciones de gestión térmica.

Competitividad del Producto

Alto rendimiento en tareas de conversión de potencia, relación competitiva entre precio y rendimiento.

Compatibilidad

Compatible con técnicas de montaje SMD estándar, adecuado para diseños de PCB de alta densidad.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumplimiento con RoHS, libre de Pb, libre de halógenos.

Duración y Sostenibilidad

Ciclo de vida del producto extendido, diseñado para una fiabilidad a largo plazo.

Campos de Aplicación Real

Fuentes de alimentación, convertidores DC-DC, controladores de motores, sistemas de gestión de baterías, sistemas de energía alternativa.

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