BSZ013NE2LS5IATMA1
Número de pieza BSZ013NE2LS5IATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
cantidad disponible 2530 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
Hojas de datos 1.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf2.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf3.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf4.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf
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Información técnica de BSZ013NE2LS5IATMA1
Número de pieza del fabricante BSZ013NE2LS5IATMA1 Categoría  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Paquete / caja PG-TSDSON-8-FL cantidad disponible 2530 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL
Serie OptiMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 1.3mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 12 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 40A (Tc)
Número de producto base BSZ013  
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