BSZ0804LSATMA1 | |
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Número de pieza | BSZ0804LSATMA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON |
cantidad disponible | 2321 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | BSZ0804LSATMA1.pdf |
BSZ0804LSATMA1 Price |
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Información técnica de BSZ0804LSATMA1 | |||
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Número de pieza del fabricante | BSZ0804LSATMA1 | Categoría | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON |
Paquete / caja | PG-TDSON-8 FL | cantidad disponible | 2321 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 36µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8 FL |
Serie | OptiMOS™ 5 | RDS (Max) @Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Número de producto base | BSZ0804 |
BSZ0804LSATMA1 Acciones | Precio BSZ0804LSATMA1 | BSZ0804LSATMA1 Electrónica | |||
Componentes BSZ0804LSATMA1 | Inventario BSZ0804LSATMA1 | BSZ0804LSATMA1 Digikey | |||
Proveedor BSZ0804LSATMA1 | Orden BSZ0804LSATMA1 en línea | Consulta BSZ0804LSATMA1 | |||
Imagen BSZ0804LSATMA1 | BSZ0804LSATMA1 Picture | BSZ0804LSATMA1 PDF | |||
Hoja de datos BSZ0804LSATMA1 | Descargar la hoja de datos de BSZ0804LSATMA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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