| IPB60R600C6ATMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPB60R600C6ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| cantidad disponible | 2618 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IPB60R600C6ATMA1.pdf2.IPB60R600C6ATMA1.pdf3.IPB60R600C6ATMA1.pdf |
| IPB60R600C6ATMA1 Price |
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| Información técnica de IPB60R600C6ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPB60R600C6ATMA1 | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| Paquete / caja | PG-TO263-3 | cantidad disponible | 2618 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO263-3 |
| Serie | CoolMOS™ C6 | RDS (Max) @Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 63W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Número de producto base | IPB60R | ||
| Descargar | IPB60R600C6ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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