| IPB80N06S2L07ATMA3 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPB80N06S2L07ATMA3 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| cantidad disponible | 2565 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf2.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf3.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf |
| IPB80N06S2L07ATMA3 Price |
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| Información técnica de IPB80N06S2L07ATMA3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPB80N06S2L07ATMA3 | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Paquete / caja | PG-TO263-3-2 | cantidad disponible | 2565 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 150µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 6.7mOhm @ 60A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 210W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3160 pF @ 25 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Número de producto base | IPB80N | ||
| Descargar | IPB80N06S2L07ATMA3 PDF - EN.pdf | ||
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