Modelo de Producto

IPD048N06L3G

Introducción

MOSFET de potencia tipo N

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Canal N para conmutación eficiente, bajo RDS(on) para alta eficiencia, alta capacidad de corriente, rápida velocidad de conmutación, baja carga de puerta, robustez ante avalanchas

Rendimiento del Producto

Rendimiento térmico robusto, densidad de potencia mejorada, optimizado para aplicaciones de alto rendimiento, operación estable en un amplio rango de temperatura

Especificaciones Técnicas

Tensión de drenaje a fuente (Vds): 60V, Corriente continua de drenaje (Id): 90A, Disipación de potencia (Pd): 290W, RDS(on): 4.8 mOhm a Vgs 10V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-252 (DPAK), diseño compacto de montaje superficial

Calidad y Fiabilidad

Cumple con las normas JEDEC, probado para alta fiabilidad y garantía de calidad

Ventajas del Producto

Alta eficiencia energética, reducción de pérdidas por conducción, mejora en la conversión de potencia

Competitividad del Producto

Competitivo en aplicaciones de alta potencia, rendimiento superior en su clase, rentable para diseños sensibles al presupuesto

Compatibilidad

Compatible con varias tensiones de control de puerta, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con la norma RoHS, calificado según JEDEC para aplicaciones específicas

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, diseñado para un impacto ecológico mínimo

Campos de Aplicación Real

Aplicaciones de gestión de energía, Convertidores DC/DC, Rectificación sincrónica, Accionamientos de motores, Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)

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