IPD30N03S2L07ATMA1
Número de pieza IPD30N03S2L07ATMA1
Fabricante Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
cantidad disponible 2518 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de IPD30N03S2L07ATMA1
Número de pieza del fabricante IPD30N03S2L07ATMA1 Categoría  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Paquete / caja PG-TO252-3-11 cantidad disponible 2518 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 85µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PG-TO252-3-11
Serie OptiMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 6.7mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo) 136W (Tc) Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 68 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Número de producto base IPD30N  
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