IPD30N03S2L07ATMA1 | |
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Número de pieza | IPD30N03S2L07ATMA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
cantidad disponible | 2518 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf2.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf3.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf4.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf |
IPD30N03S2L07ATMA1 Price |
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Información técnica de IPD30N03S2L07ATMA1 | |||
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Número de pieza del fabricante | IPD30N03S2L07ATMA1 | Categoría | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Paquete / caja | PG-TO252-3-11 | cantidad disponible | 2518 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 85µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO252-3-11 |
Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Número de producto base | IPD30N | ||
Descargar | IPD30N03S2L07ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPD30N03S2L07ATMA1 Acciones | Precio IPD30N03S2L07ATMA1 | IPD30N03S2L07ATMA1 Electrónica | |||
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