Información técnica de IPD65R420CFDBTMA1
Número de pieza del fabricante IPD65R420CFDBTMA1 Categoría  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Paquete / caja PG-TO252-3 cantidad disponible 2631 pcs
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 340µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PG-TO252-3
Serie CoolMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo) 83.3W (Tc) Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 32 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)
Número de producto base IPD65R  
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