IPD65R420CFDBTMA1 | |
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Número de pieza | IPD65R420CFDBTMA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
cantidad disponible | 2631 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.IPD65R420CFDBTMA1.pdf2.IPD65R420CFDBTMA1.pdf3.IPD65R420CFDBTMA1.pdf4.IPD65R420CFDBTMA1.pdf5.IPD65R420CFDBTMA1.pdf6.IPD65R420CFDBTMA1.pdf7.IPD65R420CFDBTMA1.pdf8.IPD65R420CFDBTMA1.pdf9.IPD65R420CFDBTMA1.pdf |
IPD65R420CFDBTMA1 Price |
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Información técnica de IPD65R420CFDBTMA1 | |||
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Número de pieza del fabricante | IPD65R420CFDBTMA1 | Categoría | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
Paquete / caja | PG-TO252-3 | cantidad disponible | 2631 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 340µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 83.3W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Número de producto base | IPD65R | ||
Descargar | IPD65R420CFDBTMA1 PDF - EN.pdf |
IPD65R420CFDBTMA1 Acciones | Precio IPD65R420CFDBTMA1 | IPD65R420CFDBTMA1 Electrónica | |||
Componentes IPD65R420CFDBTMA1 | Inventario IPD65R420CFDBTMA1 | IPD65R420CFDBTMA1 Digikey | |||
Proveedor IPD65R420CFDBTMA1 | Orden IPD65R420CFDBTMA1 en línea | Consulta IPD65R420CFDBTMA1 | |||
Imagen IPD65R420CFDBTMA1 | IPD65R420CFDBTMA1 Picture | IPD65R420CFDBTMA1 PDF | |||
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