Modelo de Producto

IRF7534D1TR

Introducción

MOSFET de potencia con diodo Schottky integrado

Marca y Fabricante

Rectificadora Internacional (Infineon Technologies)

Características

MOSFET P-Channel, diodo Schottky integrado, paquete TSSOP-8 de montaje superficial, alta capacidad de manejo de potencia y corriente

Rendimiento del Producto

Disipación de potencia máxima de 1.25W, voltaje de drenaje a fuente de 20V, corriente continua de drenaje de 4.3A, Rds On bajo de 55 mOhm, rango de temperatura de operación alta de -55°C a 150°C

Especificaciones Técnicas

Paquete de dispositivo proveedor Micro8, rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C, Rds On de 55 mOhm a 4.3A y 4.5V, carga de puerta de 15nC a 5V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete/Caja 8-TSSOP, 8-MSOP, el embalaje del fabricante es Micro8, suministrado en cinta y carrete

Calidad y Fiabilidad

Cumple con RoHS con excepción (contiene plomo)

Ventajas del Producto

Diodo Schottky Barrier integrado, conmutación eficiente y reducción de pérdidas de energía, tamaño compacto para aplicaciones sensibles al espacio

Competitividad del Producto

Combina FET y diodo Schottky para simplificar el diseño, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y gestión de energía

Compatibilidad

Compatible con procesos de ensamblaje automatizados, montaje superficial adecuado para diseños de PCB de alta densidad

Certificación y Cumplimiento Estándar

No cumple con RoHS debido a la presencia de plomo, sigue especificaciones estándar de la industria para MOSFET

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa, tolerancia a altas temperaturas que asegura fiabilidad

Campos de Aplicación Real

Circuitos de suministro de energía, convertidores DC-DC, sistemas de gestión de baterías, interruptores de carga

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